Forum Datorkomponenter Processorer, moderkort och minnen AMD Tråd

Minnesguide – AMD Ryzen 1000/2000/3000

2 3 4 5 6 7 8 9
Skriv svar
Permalänk
Medlem ★
●
Skrivet av Jalle64:

@tellus82 Jag undrar om jag skulle kunna/våga klocka mina G-Skill Trident B-die 3200MHz cl14 minnen upp till 3600MHz till en R5 3600 cpu?

Tror du det skulle gå?

Gå till inlägget

Bör gå alldeles utmärkt faktiskt, bara & sätta manuella timings enligt safe på 3600 i dram calc med manuell import av thaiphoon export, sätt sedan dram spänning till 1.35-1.45, SoC till 1.1V, VDDG till 0.95V, CLDO_VDDP till 0.9V och det borde vara alt som behövs. Skulle du stöta på patrull så kan vi hjälpas åt att hitta "fel" i timings som dram calc föreslår.

B-die är mycket klockvänliga så det är svårt att gå fel.

Visa signatur

| nVidia RTX3090FE | R9 5950x | MSI x570 Unify | Ballistix sport 3000c15 32GB DR@3800c16 | Custom Loop EKWB | 9TB nvme, 3TB sata SSD | RM1000x | Creative X4 | Lian Li o11 Dynamic | Alienware aw3821dw | >Zen2 på 3-400 mobo< | >x570 VRM< | :::AMD Zen Minnesguide:::|:::AMD Zen & Zen+ Överklockningsguide:::

Redigera
Citera flera Citera
Permalänk
Medlem ★
●
Skrivet av tellus82:

Bör gå alldeles utmärkt faktiskt, bara & sätta manuella timings enligt safe på 3600 i dram calc med manuell import av thaiphoon export, sätt sedan dram spänning till 1.35-1.45, SoC till 1.1V, VDDG till 0.95V, CLDO_VDDP till 0.9V och det borde vara alt som behövs. Skulle du stöta på patrull så kan vi hjälpas åt att hitta "fel" i timings som dram calc föreslår.

B-die är mycket klockvänliga så det är svårt att gå fel.

Gå till inlägget

Och VTT 0.68-0.72V beroende på vald VDIMM (halva).

Är det B-Die vet jag inte om jag sett någon som misslyckats med 3600 med Ryzen 3000, 3733 kan vara iffy och 3800 verkar faktiskt inte fungera för en del.

Visa signatur

|| R9 7950X MSI PRO X670-P WIFI 32GB-DDR5-6400c32 MSI RTX4080 Ventus 3X OC || CORE i9 12900KF MSI Z690 Tomahawk WIFI DDR4 32GB-3600c16 Gear1 TUF RTX3080 OC V2 || R7 5800X3D X570S CH8 Extreme 32GB-3800c18 Gigabyte RTX3080 GAMING OC || R9 5900X(B2) B550-F 32GB-3800c18 EVGA RTX3070 FTW Ultra || R9 3900X X470-Prime Pro 32GB-3200c16 MSI RTX2070 Super ||

Redigera
Citera flera Citera
Permalänk
Medlem ★
●
Skrivet av Jalle64:

@tellus82 Jag undrar om jag skulle kunna/våga klocka mina G-Skill Trident B-die 3200MHz cl14 minnen upp till 3600MHz till en R5 3600 cpu?

Tror du det skulle gå?

Gå till inlägget

Jag kör för närvarande FlareX 3200 CL14-minnen i 3600 med en R5 3600. Fungerar utmärkt med lite pill och Dramcalc. @tellus82 har varit en stor resurs här för oss!

Skickades från m.sweclockers.com

Redigera
Citera flera Citera
Permalänk
Hedersmedlem ★
●
Skrivet av Novdid:

Jag kör för närvarande FlareX 3200 CL14-minnen i 3600 med en R5 3600. Fungerar utmärkt med lite pill och Dramcalc. @tellus82 har varit en stor resurs här för oss!

Skickades från m.sweclockers.com

Gå till inlägget

Vad har du för inställningar? Jag kör ett Gigabyte AX370-Gaming K3 MB De funkar bra med tweakade XMP sättningar på 3200MHz just nu här.

Visa signatur

Stalin var så gammal att de fick Len´in. ;)

Redigera
Citera flera Citera
Permalänk
Hedersmedlem ★
●
Skrivet av tellus82:

Bör gå alldeles utmärkt faktiskt, bara & sätta manuella timings enligt safe på 3600 i dram calc med manuell import av thaiphoon export, sätt sedan dram spänning till 1.35-1.45, SoC till 1.1V, VDDG till 0.95V, CLDO_VDDP till 0.9V och det borde vara alt som behövs. Skulle du stöta på patrull så kan vi hjälpas åt att hitta "fel" i timings som dram calc föreslår.

B-die är mycket klockvänliga så det är svårt att gå fel.

Gå till inlägget

Låter ju som något att testa. Tack för svaret.
Har "redan" en export sedan innan av minnena så blir väl att se vad som kan funka.

Senast redigerat
Visa signatur

Stalin var så gammal att de fick Len´in. ;)

Redigera
Citera flera Citera
Permalänk
Medlem ★
●

@tellus82: Okej, så det är alltså helt omöjligt att köra UCLK i dubbla hastigheten av MEMCLK då, dvs ha minnena i 1800-1900MT/s|900-950MHz och UCLK i 1800-1900MHz, samt sedan separat ställa FCLK till 1800-1900MHz?

Visa signatur

*5600|B350M-A|32GB|A750|GX750W|Core V21|280AIO|1TB+2TB.

AMD Ryzen 5(Zen3) @4891|Asus Prime|Corsair 2x16 RGB PRO 3200C16 @3800C18|Intel Arc LE @2740MHz|Seasonic Focus| Thermaltake mATX kub|Arctic freezer II| NVMe SSD PCIE 3.0x2 Kingston A1000 1500/1000 + 2,5" HDD Toshiba 1TB & Samsung 1TB i RAID 0.

Redigera
Citera flera Citera
Permalänk
Medlem ★
●
Skrivet av Fenrisulvfan:

@tellus82: Okej, så det är alltså helt omöjligt att köra UCLK i dubbla hastigheten av MEMCLK då, dvs ha minnena i 1800-1900MT/s|900-950MHz och UCLK i 1800-1900MHz, samt sedan separat ställa FCLK till 1800-1900MHz?

Gå till inlägget

Ja om inte AMD smugit in detta val i någon ny agesa så går det inte, det skulle rent praktiskt inte vara möjligt med de val av multiplar som finns för minneshastighet heller.

Skickades från m.sweclockers.com

Visa signatur

| nVidia RTX3090FE | R9 5950x | MSI x570 Unify | Ballistix sport 3000c15 32GB DR@3800c16 | Custom Loop EKWB | 9TB nvme, 3TB sata SSD | RM1000x | Creative X4 | Lian Li o11 Dynamic | Alienware aw3821dw | >Zen2 på 3-400 mobo< | >x570 VRM< | :::AMD Zen Minnesguide:::|:::AMD Zen & Zen+ Överklockningsguide:::

Redigera
Citera flera Citera
Permalänk
Medlem ★
●

Här är en export från taiphoon burner från en uppsättning 2x16GB G.Skill Trident Z Neo C 3600C16, de kör Hynix M-die.

Om det går lägga in snyggare från html kod berätta gärna hur

Manufacturing Description Module Manufacturer: G.Skill
Module Part Number: F4-3600C16-16GTZNC
Module Series: Trident Z &
DRAM Manufacturer: Hynix
DRAM Components: H5AN8G8NMFR-TFC
DRAM Die Revision / Process Node: M / 25 nm
Module Manufacturing Date: Undefined
Module Manufacturing Location: Taipei, Taiwan
Module Serial Number: 00000000h
Module PCB Revision: 00h
Physical & Logical Attributes Fundamental Memory Class: DDR4 SDRAM
Module Speed Grade: DDR4-2133
Base Module Type: UDIMM (133,35 mm)
Module Capacity: 16 GB
Reference Raw Card: B1 (8 layers)
JEDEC Raw Card Designer: Micron Technology
Module Nominal Height: 31 < H <= 32 mm
Module Thickness Maximum, Front: 1 < T <= 2 mm
Module Thickness Maximum, Back: 1 < T <= 2 mm
Number of DIMM Ranks: 2
Address Mapping from Edge Connector to DRAM: Mirrored
DRAM Device Package: Standard Monolithic
DRAM Device Package Type: 78-ball FBGA
DRAM Device Die Count: Single die
Signal Loading: Not specified
Number of Column Addresses: 10 bits
Number of Row Addresses: 16 bits
Number of Bank Addresses: 2 bits (4 banks)
Bank Group Addressing: 2 bits (4 groups)
DRAM Device Width: 8 bits
Programmed DRAM Density: 8 Gb
Calculated DRAM Density: 8 Gb
Number of DRAM components: 16
DRAM Page Size: 1 KB
Primary Memory Bus Width: 64 bits
Memory Bus Width Extension: 0 bits
DRAM Post Package Repair: Supported
Soft Post Package Repair: Not supported
DRAM Timing Parameters Fine Timebase: 0,001 ns
Medium Timebase: 0,125 ns
CAS Latencies Supported: 10T, 11T, 12T, 13T,
14T, 15T, 16T
Minimum Clock Cycle Time (tCK min): 0,938 ns (1066,10 MHz)
Maximum Clock Cycle Time (tCK max): 1,500 ns (666,67 MHz)
CAS# Latency Time (tAA min): 13,750 ns
RAS# to CAS# Delay Time (tRCD min): 13,750 ns
Row Precharge Delay Time (tRP min): 13,750 ns
Active to Precharge Delay Time (tRAS min): 33,000 ns
Act to Act/Refresh Delay Time (tRC min): 46,750 ns
Normal Refresh Recovery Delay Time (tRFC1 min): 350,000 ns
2x mode Refresh Recovery Delay Time (tRFC2 min): 260,000 ns
4x mode Refresh Recovery Delay Time (tRFC4 min): 160,000 ns
Short Row Active to Row Active Delay (tRRD_S min): 3,700 ns
Long Row Active to Row Active Delay (tRRD_L min): 5,300 ns
Long CAS to CAS Delay Time (tCCD_L min): 5,625 ns
Four Active Windows Delay (tFAW min): 21,000 ns
Maximum Active Window (tMAW): 8192*tREFI
Maximum Activate Count (MAC): Unlimited MAC
DRAM VDD 1,20 V operable/endurant: Yes/Yes
Thermal Parameters Module Thermal Sensor: Not Incorporated
Integrated Temperature Sensor Manufacturer: ABLIC Inc.
Model: S-34TS04A
Revision: 21h
Temperature Monitor Status: Active
Current Ambient Temperature: 34,500 °C
Sensor Resolution: 0,2500 °C (10-bit ADC)
Accuracy over the active range (75 °C to 95 °C): ±1 °C
Accuracy over the monitoring range (40 °C to 125 °C): ±2 °C
Open-drain Event Output: Disabled
10V of VHV on A0 pin: Supported
Negative Temperature Measurements: Supported
Interrupt capabilities: Supported
SPD Protocol SPD Revision: 1.0
SPD Bytes Total: 512
SPD Bytes Used: 384
SPD Checksum (Bytes 00h-7Dh): 7EAFh (OK)
SPD Checksum (Bytes 80h-FDh): DF74h (OK)
Part number details JEDEC DIMM Label: 16GB 2Rx8 PC4-2133-UB1-10
Frequency CAS RCD RP RAS RC RRDS RRDL CCDL FAW
1067 MHz 16 15 15 36 50 4 6 6 23
1067 MHz 15 15 15 36 50 4 6 6 23
933 MHz 14 13 13 31 44 4 5 6 20
933 MHz 13 13 13 31 44 4 5 6 20
800 MHz 12 11 11 27 38 3 5 5 17
800 MHz 11 11 11 27 38 3 5 5 17
667 MHz 10 10 10 22 32 3 4 4 14
Intel Extreme Memory Profiles Profiles Revision: 2.0
Profile 1 (Certified) Enables: Yes
Profile 2 (Extreme) Enables: No
Profile 1 Channel Config: 2 DIMM/channel
XMP Parameter Profile 1 Profile 2
Speed Grade: DDR4-3604 N/A
DRAM Clock Frequency: 1802 MHz N/A
Module VDD Voltage Level: 1,35 V N/A
Minimum DRAM Cycle Time (tCK): 0,555 ns N/A
CAS Latencies Supported: 16T N/A
CAS Latency Time (tAA): 8,869 ns N/A
RAS# to CAS# Delay Time (tRCD): 10,454 ns N/A
Row Precharge Delay Time (tRP): 10,454 ns N/A
Active to Precharge Delay Time (tRAS): 21,625 ns N/A
Active to Active/Refresh Delay Time (tRC): 32,059 ns N/A
Four Activate Window Delay Time (tFAW): 24,000 ns N/A
Short Activate to Activate Delay Time (tRRD_S): 2,029 ns N/A
Long Activate to Activate Delay Time (tRRD_L): 4,849 ns N/A
Normal Refresh Recovery Delay Time (tRFC1): 350,000 ns N/A
2x mode Refresh Recovery Delay Time (tRFC2): 260,000 ns N/A
4x mode Refresh Recovery Delay Time (tRFC4): 160,000 ns N/A
Show delays in clock cycles

Dold text

https://drive.google.com/open?id=1P9PpSYiprFI2XBEYVHNW4smDB1v...

Senast redigerat
Visa signatur

Errare human est

Redigera
Citera flera Citera
Permalänk
Medlem ★
●
Skrivet av kniven:

Här är en export från taiphoon burner från en uppsättning 2x16GB G.Skill Trident Z Neo C 3600C16, de kör Hynix M-die.

Om det går lägga in snyggare från html kod berätta gärna hur

Manufacturing Description Module Manufacturer: G.Skill
Module Part Number: F4-3600C16-16GTZNC
Module Series: Trident Z &
DRAM Manufacturer: Hynix
DRAM Components: H5AN8G8NMFR-TFC
DRAM Die Revision / Process Node: M / 25 nm
Module Manufacturing Date: Undefined
Module Manufacturing Location: Taipei, Taiwan
Module Serial Number: 00000000h
Module PCB Revision: 00h
Physical & Logical Attributes Fundamental Memory Class: DDR4 SDRAM
Module Speed Grade: DDR4-2133
Base Module Type: UDIMM (133,35 mm)
Module Capacity: 16 GB
Reference Raw Card: B1 (8 layers)
JEDEC Raw Card Designer: Micron Technology
Module Nominal Height: 31 < H <= 32 mm
Module Thickness Maximum, Front: 1 < T <= 2 mm
Module Thickness Maximum, Back: 1 < T <= 2 mm
Number of DIMM Ranks: 2
Address Mapping from Edge Connector to DRAM: Mirrored
DRAM Device Package: Standard Monolithic
DRAM Device Package Type: 78-ball FBGA
DRAM Device Die Count: Single die
Signal Loading: Not specified
Number of Column Addresses: 10 bits
Number of Row Addresses: 16 bits
Number of Bank Addresses: 2 bits (4 banks)
Bank Group Addressing: 2 bits (4 groups)
DRAM Device Width: 8 bits
Programmed DRAM Density: 8 Gb
Calculated DRAM Density: 8 Gb
Number of DRAM components: 16
DRAM Page Size: 1 KB
Primary Memory Bus Width: 64 bits
Memory Bus Width Extension: 0 bits
DRAM Post Package Repair: Supported
Soft Post Package Repair: Not supported
DRAM Timing Parameters Fine Timebase: 0,001 ns
Medium Timebase: 0,125 ns
CAS Latencies Supported: 10T, 11T, 12T, 13T,
14T, 15T, 16T
Minimum Clock Cycle Time (tCK min): 0,938 ns (1066,10 MHz)
Maximum Clock Cycle Time (tCK max): 1,500 ns (666,67 MHz)
CAS# Latency Time (tAA min): 13,750 ns
RAS# to CAS# Delay Time (tRCD min): 13,750 ns
Row Precharge Delay Time (tRP min): 13,750 ns
Active to Precharge Delay Time (tRAS min): 33,000 ns
Act to Act/Refresh Delay Time (tRC min): 46,750 ns
Normal Refresh Recovery Delay Time (tRFC1 min): 350,000 ns
2x mode Refresh Recovery Delay Time (tRFC2 min): 260,000 ns
4x mode Refresh Recovery Delay Time (tRFC4 min): 160,000 ns
Short Row Active to Row Active Delay (tRRD_S min): 3,700 ns
Long Row Active to Row Active Delay (tRRD_L min): 5,300 ns
Long CAS to CAS Delay Time (tCCD_L min): 5,625 ns
Four Active Windows Delay (tFAW min): 21,000 ns
Maximum Active Window (tMAW): 8192*tREFI
Maximum Activate Count (MAC): Unlimited MAC
DRAM VDD 1,20 V operable/endurant: Yes/Yes
Thermal Parameters Module Thermal Sensor: Not Incorporated
Integrated Temperature Sensor Manufacturer: ABLIC Inc.
Model: S-34TS04A
Revision: 21h
Temperature Monitor Status: Active
Current Ambient Temperature: 34,500 °C
Sensor Resolution: 0,2500 °C (10-bit ADC)
Accuracy over the active range (75 °C to 95 °C): ±1 °C
Accuracy over the monitoring range (40 °C to 125 °C): ±2 °C
Open-drain Event Output: Disabled
10V of VHV on A0 pin: Supported
Negative Temperature Measurements: Supported
Interrupt capabilities: Supported
SPD Protocol SPD Revision: 1.0
SPD Bytes Total: 512
SPD Bytes Used: 384
SPD Checksum (Bytes 00h-7Dh): 7EAFh (OK)
SPD Checksum (Bytes 80h-FDh): DF74h (OK)
Part number details JEDEC DIMM Label: 16GB 2Rx8 PC4-2133-UB1-10
Frequency CAS RCD RP RAS RC RRDS RRDL CCDL FAW
1067 MHz 16 15 15 36 50 4 6 6 23
1067 MHz 15 15 15 36 50 4 6 6 23
933 MHz 14 13 13 31 44 4 5 6 20
933 MHz 13 13 13 31 44 4 5 6 20
800 MHz 12 11 11 27 38 3 5 5 17
800 MHz 11 11 11 27 38 3 5 5 17
667 MHz 10 10 10 22 32 3 4 4 14
Intel Extreme Memory Profiles Profiles Revision: 2.0
Profile 1 (Certified) Enables: Yes
Profile 2 (Extreme) Enables: No
Profile 1 Channel Config: 2 DIMM/channel
XMP Parameter Profile 1 Profile 2
Speed Grade: DDR4-3604 N/A
DRAM Clock Frequency: 1802 MHz N/A
Module VDD Voltage Level: 1,35 V N/A
Minimum DRAM Cycle Time (tCK): 0,555 ns N/A
CAS Latencies Supported: 16T N/A
CAS Latency Time (tAA): 8,869 ns N/A
RAS# to CAS# Delay Time (tRCD): 10,454 ns N/A
Row Precharge Delay Time (tRP): 10,454 ns N/A
Active to Precharge Delay Time (tRAS): 21,625 ns N/A
Active to Active/Refresh Delay Time (tRC): 32,059 ns N/A
Four Activate Window Delay Time (tFAW): 24,000 ns N/A
Short Activate to Activate Delay Time (tRRD_S): 2,029 ns N/A
Long Activate to Activate Delay Time (tRRD_L): 4,849 ns N/A
Normal Refresh Recovery Delay Time (tRFC1): 350,000 ns N/A
2x mode Refresh Recovery Delay Time (tRFC2): 260,000 ns N/A
4x mode Refresh Recovery Delay Time (tRFC4): 160,000 ns N/A
Show delays in clock cycles

Dold text
Gå till inlägget

Kan ju lägga upp den på google driver eller dropbox eller osv ifall någon är nyfiken

Visa signatur

| nVidia RTX3090FE | R9 5950x | MSI x570 Unify | Ballistix sport 3000c15 32GB DR@3800c16 | Custom Loop EKWB | 9TB nvme, 3TB sata SSD | RM1000x | Creative X4 | Lian Li o11 Dynamic | Alienware aw3821dw | >Zen2 på 3-400 mobo< | >x570 VRM< | :::AMD Zen Minnesguide:::|:::AMD Zen & Zen+ Överklockningsguide:::

Redigera
Citera flera Citera
Permalänk
Medlem ★
●
Skrivet av tellus82:

Kan ju lägga upp den på google driver eller dropbox eller osv ifall någon är nyfiken

Gå till inlägget

Lagt till en drive länk.

Visa signatur

Errare human est

Redigera
Citera flera Citera
Permalänk
Medlem ★
●
Skrivet av tellus82:

Nja, mycket bra är lite av en åsikt mer än fakta enligt vad jag sett, manuell CCD/CCX OC ger i alla lägen bättre prestanda med avsevärt mindre problem, när man inte behöver välja mellan XFR eller samma all core frekvens rakt av utan kan sätta varje CCX för sig så faller nyttan av att klocka just XFR, allra helst när det kommer med rätt grova nackdelar. Manuell CCD OC kan fortfarande nyttja sleep states så skillnad i idle strömförbrukning/värme blir det inte heller annat än att manuell CCD OC går svalare än stock XFR/bclk OC XFR.

Det enda du kan få ut av XFR OC som skulle kunna generera bättre prestanda för en stund är single core boost, dock kommer denna lida av rätt extrem variation i frekvens jämfört en stadig fast CCD/CCX OC vilket medför att en rätt låg CCD/CCX OC faktiskt kan ge prestanda som är lika bra som en högre frekvens boost, detta pga att snitt värdet för boost frekvensen hamnar runt manuell CCD/CCX OC i vilket fall. Däremot kommer XFR droppa av snabbare med antal kärnor belastade och det kan vara rätt knepigt att få XFR & hålla en hög boost på 4 kärnor exempelvis. Med CCD/CCX så håller alla kärnor det du sätter oavsett hur det belastas.

Som exempel, här kör jag manuell CCD OC och får 518 poäng i CBR20
https://i.imgur.com/ssEzQhP.png

Här kör jag PBO och får 520, detta trots att processorn här boostar till 4.6GHz vilket är betydligt mer än min CCD OC når upp i, det kostar dock all core prestanda att göra det.
https://i.imgur.com/0jaT86J.png

Gå till inlägget

Att pilla med BLCK var dessutom tydligen inte bra för NVMe och annat.

En fråga angående din CCD OC, varför är CCD 0 / CCX 0 högre klockad än CCD 0 / CCX 1 som trots allt har den bästa kärnan i denna CCD?

Visa signatur

Stationär: AMD Ryzen 7 7800X3D | ASUS ROG Strix B650E-F Gaming WIFI | G.Skill 32GB DDR5 6000MHz CL30 Trident Z5 Neo RGB | Gigabyte 4090 Gaming OC | BeQuiet! Dark Rock 4 Pro | Samsung 980 Pro 1TB M.2 & Intel 660P 1TB M.2 | Corsair RM850x v2 White Series | Phanteks P500A D-RGB | Acer X34GS | Corsair Strafe RGB MX Silent | Razer Deathadder v.2 | Logitech PRO X 7.1
Laptop: AMD Ryzen 7 6800HS | 16GB 4800MHz DDR5 | RTX 3060 140W | 15,6" 144Hz FHD IPS 16:9

Redigera
Citera flera Citera
Permalänk
Medlem ★
●
Skrivet av Mocka:

Att pilla med BLCK var dessutom tydligen inte bra för NVMe och annat.

En fråga angående din CCD OC, varför är CCD 0 / CCX 0 högre klockad än CCD 0 / CCX 1 som trots allt har den bästa kärnan i denna CCD?

Gå till inlägget

Därför att den orkade högre vid samma spänning, man får komma ihåg att max boost sker under 1.5v och när man klockar ccd/ccx så ska man absolut inte köra den spänningen, det gör att vid säg 1.337v under load så kan den högst klockande kärnan bli en annan jämfört AMDs maxboost vid just 1.5v. enskilda kärnor reagerar nämligen olika på olika spänningar men det är inte så stora skillnader inom samma ccd som det är mellan CCDerna

Skickades från m.sweclockers.com

Visa signatur

| nVidia RTX3090FE | R9 5950x | MSI x570 Unify | Ballistix sport 3000c15 32GB DR@3800c16 | Custom Loop EKWB | 9TB nvme, 3TB sata SSD | RM1000x | Creative X4 | Lian Li o11 Dynamic | Alienware aw3821dw | >Zen2 på 3-400 mobo< | >x570 VRM< | :::AMD Zen Minnesguide:::|:::AMD Zen & Zen+ Överklockningsguide:::

Redigera
Citera flera Citera
Permalänk
Medlem
●

byggde ihop en ny pc till brorsan med 3700x, ASRock X570 Taichi och g.skill trident z neo c. https://www.inet.se/produkt/5301861/g-skill-16gb-2x8gb-ddr4-3... dessa minnen som någon nämde nån sida bakåt.

Körde på som vanligt. Fick igång windows, körde in i bios drog på xmp. Datorn verkar funka som den ska. Men när jag kör prime95 så slocknar datorn inom 5min. Memtest gav även det ett fel. Har hållit på och grejjat och spelat med datorn utan problem. en runda av intelburn test (10rundor) gick igenom.

Med allt på auto (minnen i 2133) i bios så fungerar prime95 iallafall 15min, hade inte tid att köra längre, men det var längre än innan. Ska dra memtest inatt med dessa inställningar och se om det är ok där med.

Har provat att ställa manuellt enligt videon på sidan 4 utan att lyckas. hittade iofs inte alla voltinställningar. men då starta datorn om ett par gånger och när den gick vidare så var det 2133 hastighet.

Jag har kollat thermals på allt när det slockar och det som är varmast är CPU på runt 80grader. så det har inte med värme att göra.

här är Thaiphoon Burner info:

Citat:

Manufacturing Description Module Manufacturer: G.Skill
Module Part Number: F4-3600C16-8GTZNC
Module Series: Trident Z Neo
DRAM Manufacturer: Hynix
DRAM Components: H5AN8G8NCJR-TFC
DRAM Die Revision / Process Node: C / 18 nm
Module Manufacturing Date: Undefined
Module Manufacturing Location: Taipei, Taiwan
Module Serial Number: 00000000h
Module PCB Revision: 00h
Physical & Logical Attributes Fundamental Memory Class: DDR4 SDRAM
Module Speed Grade: DDR4-2133
Base Module Type: UDIMM (133,35 mm)
Module Capacity: 8 GB
Reference Raw Card: A1 (10 layers)
JEDEC Raw Card Designer: SK hynix
Module Nominal Height: 31 < H <= 32 mm
Module Thickness Maximum, Front: 1 < T <= 2 mm
Module Thickness Maximum, Back: 1 < T <= 2 mm
Number of DIMM Ranks: 1
Address Mapping from Edge Connector to DRAM: Standard
DRAM Device Package: Standard Monolithic
DRAM Device Package Type: 78-ball FBGA
DRAM Device Die Count: Single die
Signal Loading: Not specified
Number of Column Addresses: 10 bits
Number of Row Addresses: 16 bits
Number of Bank Addresses: 2 bits (4 banks)
Bank Group Addressing: 2 bits (4 groups)
DRAM Device Width: 8 bits
Programmed DRAM Density: 8 Gb
Calculated DRAM Density: 8 Gb
Number of DRAM components: 8
DRAM Page Size: 1 KB
Primary Memory Bus Width: 64 bits
Memory Bus Width Extension: 0 bits
DRAM Post Package Repair: Supported
Soft Post Package Repair: Supported
DRAM Timing Parameters Fine Timebase: 0,001 ns
Medium Timebase: 0,125 ns
CAS Latencies Supported: 10T, 11T, 12T, 13T,
14T, 15T, 16T
Minimum Clock Cycle Time (tCK min): 0,938 ns (1066,10 MHz)
Maximum Clock Cycle Time (tCK max): 1,600 ns (625,00 MHz)
CAS# Latency Time (tAA min): 13,750 ns
RAS# to CAS# Delay Time (tRCD min): 13,750 ns
Row Precharge Delay Time (tRP min): 13,750 ns
Active to Precharge Delay Time (tRAS min): 33,000 ns
Act to Act/Refresh Delay Time (tRC min): 46,750 ns
Normal Refresh Recovery Delay Time (tRFC1 min): 350,000 ns
2x mode Refresh Recovery Delay Time (tRFC2 min): 260,000 ns
4x mode Refresh Recovery Delay Time (tRFC4 min): 160,000 ns
Short Row Active to Row Active Delay (tRRD_S min): 3,700 ns
Long Row Active to Row Active Delay (tRRD_L min): 5,300 ns
Write Recovery Time (tWR min): 15,000 ns
Short Write to Read Command Delay (tWTR_S min): 2,500 ns
Long Write to Read Command Delay (tWTR_L min): 7,500 ns
Long CAS to CAS Delay Time (tCCD_L min): 5,625 ns
Four Active Windows Delay (tFAW min): 21,000 ns
Maximum Active Window (tMAW): 8192*tREFI
Maximum Activate Count (MAC): Unlimited MAC
DRAM VDD 1,20 V operable/endurant: Yes/Yes
Thermal Parameters Module Thermal Sensor: Not Incorporated
Integrated Temperature Sensor Manufacturer: ABLIC Inc.
Model: S-34TS04A
Revision: 21h
Temperature Monitor Status: Active
Current Ambient Temperature: 39,750 °C
Sensor Resolution: 0,2500 °C (10-bit ADC)
Accuracy over the active range (75 °C to 95 °C): ±1 °C
Accuracy over the monitoring range (40 °C to 125 °C): ±2 °C
Open-drain Event Output: Disabled
10V of VHV on A0 pin: Supported
Negative Temperature Measurements: Supported
Interrupt capabilities: Supported
SPD Protocol SPD Revision: 1.1
SPD Bytes Total: 512
SPD Bytes Used: 384
SPD Checksum (Bytes 00h-7Dh): 242Dh (OK)
SPD Checksum (Bytes 80h-FDh): A01Ch (OK)
Part number details JEDEC DIMM Label: 8GB 1Rx8 PC4-2133-UA1-11
Frequency CAS RCD RP RAS RC RRDS RRDL WR WTRS WTRL FAW
1067 MHz 16 15 15 36 50 4 6 16 3 8 23
1067 MHz 15 15 15 36 50 4 6 16 3 8 23
933 MHz 14 13 13 31 44 4 5 14 3 7 20
933 MHz 13 13 13 31 44 4 5 14 3 7 20
800 MHz 12 11 11 27 38 3 5 12 2 6 17
800 MHz 11 11 11 27 38 3 5 12 2 6 17
667 MHz 10 10 10 22 32 3 4 10 2 5 14
Intel Extreme Memory Profiles Profiles Revision: 2.0
Profile 1 (Certified) Enables: Yes
Profile 2 (Extreme) Enables: No
Profile 1 Channel Config: 2 DIMM/channel
XMP Parameter Profile 1 Profile 2
Speed Grade: DDR4-3604 N/A
DRAM Clock Frequency: 1802 MHz N/A
Module VDD Voltage Level: 1,35 V N/A
Minimum DRAM Cycle Time (tCK): 0,555 ns N/A
CAS Latencies Supported: 16T N/A
CAS Latency Time (tAA): 8,869 ns N/A
RAS# to CAS# Delay Time (tRCD): 10,454 ns N/A
Row Precharge Delay Time (tRP): 10,454 ns N/A
Active to Precharge Delay Time (tRAS): 21,625 ns N/A
Active to Active/Refresh Delay Time (tRC): 32,059 ns N/A
Four Activate Window Delay Time (tFAW): 24,000 ns N/A
Short Activate to Activate Delay Time (tRRD_S): 2,029 ns N/A
Long Activate to Activate Delay Time (tRRD_L): 4,849 ns N/A
Normal Refresh Recovery Delay Time (tRFC1): 350,000 ns N/A
2x mode Refresh Recovery Delay Time (tRFC2): 260,000 ns N/A
4x mode Refresh Recovery Delay Time (tRFC4): 160,000 ns N/A
Show delays in clock cycles

och här vad dramcalc ger mig. ringade in dom volt inställningar jag inte hittade i bios. kanske heter nåt annat på mitt asrock.
detta är från calculate SAFE. fast och extreme funkar inte.

några ideer vad jag ska testa med. datorn kommer spelas på. Vill hellst få dessa att lira. även om jag får går ner/upp i hastighet/timings volt osv. Eller är minnena bajs och det är bättre att skicka tillbaka och hitta några andra?

Redigera
Citera flera Citera
Permalänk
Medlem ★
●
Skrivet av iesa:

byggde ihop en ny pc till brorsan med 3700x, ASRock X570 Taichi och g.skill trident z neo c. https://www.inet.se/produkt/5301861/g-skill-16gb-2x8gb-ddr4-3... dessa minnen som någon nämde nån sida bakåt.

Körde på som vanligt. Fick igång windows, körde in i bios drog på xmp. Datorn verkar funka som den ska. Men när jag kör prime95 så slocknar datorn inom 5min. Memtest gav även det ett fel. Har hållit på och grejjat och spelat med datorn utan problem. en runda av intelburn test (10rundor) gick igenom.

Med allt på auto (minnen i 2133) i bios så fungerar prime95 iallafall 15min, hade inte tid att köra längre, men det var längre än innan. Ska dra memtest inatt med dessa inställningar och se om det är ok där med.

Har provat att ställa manuellt enligt videon på sidan 4 utan att lyckas. hittade iofs inte alla voltinställningar. men då starta datorn om ett par gånger och när den gick vidare så var det 2133 hastighet.

Jag har kollat thermals på allt när det slockar och det som är varmast är CPU på runt 80grader. så det har inte med värme att göra.

här är Thaiphoon Burner info:
och här vad dramcalc ger mig. ringade in dom volt inställningar jag inte hittade i bios. kanske heter nåt annat på mitt asrock.
detta är från calculate SAFE. fast och extreme funkar inte.
https://i.imgur.com/Mwb8xgo.png

några ideer vad jag ska testa med. datorn kommer spelas på. Vill hellst få dessa att lira. även om jag får går ner/upp i hastighet/timings volt osv. Eller är minnena bajs och det är bättre att skicka tillbaka och hitta några andra?

Gå till inlägget

Ska kika över det lite ikväll efter jobbet, kan du posta en bild från Ryzen master möjligtvis där man ser spänningar och timings när du försöker köra 3600? Sätt tCL till 16 till att börja med i dram calcs timings och tRCDWR till 19

Skickades från m.sweclockers.com

Visa signatur

| nVidia RTX3090FE | R9 5950x | MSI x570 Unify | Ballistix sport 3000c15 32GB DR@3800c16 | Custom Loop EKWB | 9TB nvme, 3TB sata SSD | RM1000x | Creative X4 | Lian Li o11 Dynamic | Alienware aw3821dw | >Zen2 på 3-400 mobo< | >x570 VRM< | :::AMD Zen Minnesguide:::|:::AMD Zen & Zen+ Överklockningsguide:::

Redigera
Citera flera Citera
Permalänk
Medlem ★
●
Skrivet av iesa:

byggde ihop en ny pc till brorsan med 3700x, ASRock X570 Taichi och g.skill trident z neo c. https://www.inet.se/produkt/5301861/g-skill-16gb-2x8gb-ddr4-3... dessa minnen som någon nämde nån sida bakåt.

Körde på som vanligt. Fick igång windows, körde in i bios drog på xmp. Datorn verkar funka som den ska. Men när jag kör prime95 så slocknar datorn inom 5min. Memtest gav även det ett fel. Har hållit på och grejjat och spelat med datorn utan problem. en runda av intelburn test (10rundor) gick igenom.

Med allt på auto (minnen i 2133) i bios så fungerar prime95 iallafall 15min, hade inte tid att köra längre, men det var längre än innan. Ska dra memtest inatt med dessa inställningar och se om det är ok där med.

Har provat att ställa manuellt enligt videon på sidan 4 utan att lyckas. hittade iofs inte alla voltinställningar. men då starta datorn om ett par gånger och när den gick vidare så var det 2133 hastighet.

Jag har kollat thermals på allt när det slockar och det som är varmast är CPU på runt 80grader. så det har inte med värme att göra.

här är Thaiphoon Burner info:
och här vad dramcalc ger mig. ringade in dom volt inställningar jag inte hittade i bios. kanske heter nåt annat på mitt asrock.
detta är från calculate SAFE. fast och extreme funkar inte.
https://i.imgur.com/Mwb8xgo.png

några ideer vad jag ska testa med. datorn kommer spelas på. Vill hellst få dessa att lira. även om jag får går ner/upp i hastighet/timings volt osv. Eller är minnena bajs och det är bättre att skicka tillbaka och hitta några andra?

Gå till inlägget

Som jag skrev tidigare så skulle jag sätta tCL till 16 istället för 14 och tRCDWR till 19, grejen med dessa minnen du har är inte att pusha timings för dom, du får välja mellan låga timings eller hög frekvens, B-die kan man pusha bägge samtidigt och bara krana på lite mer spänning, de chip du har kan offra timings för frekvens men har inget mega utrymme för spänning. (Edit: rent generellt alltså)

Så för att börja stabilisera det hela så ska man inte finputsa timings, man ska egentligen ta bios timings & kika ifall de är stabila med bara XMP, skulle de inte vara stabila så kan man kika ifall en subtiming kanske blivit felaktigt satt eller att det är någon spänning som bordet felaktigt satt.

Därför bör mitt råd till steg ett vara: Sätt xmp @ 3600MT/s och låt bordet sköta timings, ta en bild av dom i Ryzen Master tillsammans med spänningar så som SoC, CLDO_VDDG och CLDO_VDDP som finns där, sen kan jag guida dig till vart i bios du bör leta om något behöver justeras.

Senast redigerat
Visa signatur

| nVidia RTX3090FE | R9 5950x | MSI x570 Unify | Ballistix sport 3000c15 32GB DR@3800c16 | Custom Loop EKWB | 9TB nvme, 3TB sata SSD | RM1000x | Creative X4 | Lian Li o11 Dynamic | Alienware aw3821dw | >Zen2 på 3-400 mobo< | >x570 VRM< | :::AMD Zen Minnesguide:::|:::AMD Zen & Zen+ Överklockningsguide:::

Redigera
Citera flera Citera
Permalänk
Medlem
●

@tellus82: okey. Kollar på det inatt/imorrn och postar det. Behöver jag köra nåt samtidigt när jag kollar ryzen master eller räcker det att jag är inne i ryzen master?

Redigera
Citera flera Citera
Permalänk
Medlem ★
●
Skrivet av iesa:

@tellus82: okey. Kollar på det inatt/imorrn och postar det. Behöver jag köra nåt samtidigt när jag kollar ryzen master eller räcker det att jag är inne i ryzen master?

Gå till inlägget

Räcker att öppna det, se bara till att flikarna i huvud vyn är "öppnade" så att allt syns som på bilden nedan

Visa signatur

| nVidia RTX3090FE | R9 5950x | MSI x570 Unify | Ballistix sport 3000c15 32GB DR@3800c16 | Custom Loop EKWB | 9TB nvme, 3TB sata SSD | RM1000x | Creative X4 | Lian Li o11 Dynamic | Alienware aw3821dw | >Zen2 på 3-400 mobo< | >x570 VRM< | :::AMD Zen Minnesguide:::|:::AMD Zen & Zen+ Överklockningsguide:::

Redigera
Citera flera Citera
Permalänk
Medlem
●

@tellus82:
här har du ryzen master med default bios och xmp på. dram voltage syns inte där men den är 1.35v från xmp.

Redigera
Citera flera Citera
Permalänk
Medlem ★
●

Jag såg din video där du visar hur man importerar värden från TB in till dram calculator. Behöver man köra stockvärden för minnet i BIOS eller går det även med tweakade timings?

Visa signatur

sweclockers prestandaindex

Efter 10 kommer 11.
Efter 99 kommer 100.

Redigera
Citera flera Citera
Permalänk
Medlem ★
●
Skrivet av ClintBeastwood:

Jag såg din video där du visar hur man importerar värden från TB in till dram calculator. Behöver man köra stockvärden för minnet i BIOS eller går det även med tweakade timings?

Gå till inlägget

Värdena importeras från data lagrat direkt på minnena, hur du sätter bios timings kommer inte påverka den datan.

Visa signatur

| nVidia RTX3090FE | R9 5950x | MSI x570 Unify | Ballistix sport 3000c15 32GB DR@3800c16 | Custom Loop EKWB | 9TB nvme, 3TB sata SSD | RM1000x | Creative X4 | Lian Li o11 Dynamic | Alienware aw3821dw | >Zen2 på 3-400 mobo< | >x570 VRM< | :::AMD Zen Minnesguide:::|:::AMD Zen & Zen+ Överklockningsguide:::

Redigera
Citera flera Citera
Permalänk
Medlem ★
●
Skrivet av iesa:

@tellus82:
här har du ryzen master med default bios och xmp på. dram voltage syns inte där men den är 1.35v från xmp.

https://i.imgur.com/ygriSe1.png

Gå till inlägget

Din CLDO_VDDP är rätt extrem, den ska egentligen ligga på 0.9V / 900mV, inte 1.1V kika i bios om du kan justera ner den, den kan finnas under advanced/AMD overklocking eller AMD CBS/NBIO/, du hittar VDDG på samma ställe och även den är mycket hög, den kan dock köras på 0.95V med gott samvete och uppåt 1V om det behövs, för 3600MT/s minnen ska inte mer än 0.95V / 950mV behövas, lika med CLDO_VDDP, normalt behövs absolut inte mer än 0.9V / 900mV.

Att justera CLDO_VDDP så högt som dom gjort här kan faktiskt orsaka direkt instabilitet hos minnesbussen, speciellt vid vissa frekvenser, det kan skapa ett "frekvenshål" där oavsett vad du gör blir inget stabilt trots att det borde vara det. medans en högre frekvens kan vara stabil.

Fullt möjligt att det räcker & justera dessa två för & få det stabilt, timings i övrigt ser rätt OK ut vid en snabb koll.

Senast redigerat
Visa signatur

| nVidia RTX3090FE | R9 5950x | MSI x570 Unify | Ballistix sport 3000c15 32GB DR@3800c16 | Custom Loop EKWB | 9TB nvme, 3TB sata SSD | RM1000x | Creative X4 | Lian Li o11 Dynamic | Alienware aw3821dw | >Zen2 på 3-400 mobo< | >x570 VRM< | :::AMD Zen Minnesguide:::|:::AMD Zen & Zen+ Överklockningsguide:::

Redigera
Citera flera Citera
Permalänk
Medlem
●
Skrivet av tellus82:

Din CLDO_VDDP är rätt extrem, den ska egentligen ligga på 0.9V / 900mV, inte 1.1V kika i bios om du kan justera ner den, den kan finnas under advanced/AMD overklocking eller AMD CBS/NBIO/, du hittar VDDG på samma ställe och även den är mycket hög, den kan dock köras på 0.95V med gott samvete och uppåt 1V om det behövs, för 3600MT/s minnen ska inte mer än 0.95V / 950mV behövas, lika med CLDO_VDDP, normalt behövs absolut inte mer än 0.9V / 900mV.

Att justera CLDO_VDDP så högt som dom gjort här kan faktiskt orsaka direkt instabilitet hos minnesbussen, speciellt vid vissa frekvenser, det kan skapa ett "frekvenshål" där oavsett vad du gör blir inget stabilt trots att det borde vara det. medans en högre frekvens kan vara stabil.

Fullt möjligt att det räcker & justera dessa två för & få det stabilt, timings i övrigt ser rätt OK ut vid en snabb koll.

Gå till inlägget

Verkar som det löste problemet, satte VDDP 0,9v och VDDG 1v (var lägsta som gick sätta). Kört prime ca 30min utan problem. Det hängde sig som sagt inom 5min förut. drar ett memtest över natten så återkommer jag ifall det börjar strula igen.

Tack som fan för hjälpen!

Redigera
Citera flera Citera
Permalänk
Medlem ★
●
Skrivet av iesa:

Verkar som det löste problemet, satte VDDP 0,9v och VDDG 1v (var lägsta som gick sätta). Kört prime ca 30min utan problem. Det hängde sig som sagt inom 5min förut. drar ett memtest över natten så återkommer jag ifall det börjar strula igen.

Tack som fan för hjälpen!

Gå till inlägget

Kul och höra, hoppas det håller i sig, annars får du hojta till. Blir det stabilt så här då kan du fortsätta att polera timings lite och kika ifall det går, tRFC är ett bra ställe att börja & sänka en smula exempelvis. Men som sagt, bäst och få det stabilt först till 100% innan man börja tweaka

Skickades från m.sweclockers.com

Visa signatur

| nVidia RTX3090FE | R9 5950x | MSI x570 Unify | Ballistix sport 3000c15 32GB DR@3800c16 | Custom Loop EKWB | 9TB nvme, 3TB sata SSD | RM1000x | Creative X4 | Lian Li o11 Dynamic | Alienware aw3821dw | >Zen2 på 3-400 mobo< | >x570 VRM< | :::AMD Zen Minnesguide:::|:::AMD Zen & Zen+ Överklockningsguide:::

Redigera
Citera flera Citera
Permalänk
Medlem ★
●

Hej Tellus

Givetvis är det en bätre id'e att fortsätta här i minnestråden. Mitt problem har varit att de förändring jag försökt göra via bios/uefi lett till att systemet inte postat. Vad jag förstått eller missförstått är att vissa minnen måste ha högre volt under postsekvensen än de 1.2 som ställs automatiskt för att klara av att "skolas in". Det stämmer att minnena är av typen B-die. Jag vet heller inte om mitt mobo erbjuder "minnesträning" eller inte, kan iaf inte hitta någon inställning som t.ex hur många gånger mobot försöker innan det väljer att posta som vanligt. Min sons MSI mobo har en sådan inställning. Jag har bara försökt ändra inställningar direkt i bios/uefi och inte installerat Ryzenmaster. När det gäller xmp profil erbjuder moderkortet bara en, 4000mhz, vilken jag alltså klockat ner till 3733 för att fungera med if klocka (fclk) 1866. Ska fixa bild på de timings som dram calulator föreslår men skriver det här på min platta.

edit: bifogar screenshot från dramcalc... nej det gör jag inte men en länk till bilden

https://imgur.com/a/8LgN1Va

Tack för ditt svar

Senast redigerat
Redigera
Citera flera Citera
Permalänk
Medlem ★
●
Skrivet av [SmR]BMF:

Hej Tellus

Givetvis är det en bätre id'e att fortsätta här i minnestråden. Mitt problem har varit att de förändring jag försökt göra via bios/uefi lett till att systemet inte postat. Vad jag förstått eller missförstått är att vissa minnen måste ha högre volt under postsekvensen än de 1.2 som ställs automatiskt för att klara av att "skolas in". Det stämmer att minnena är av typen B-die. Jag vet heller inte om mitt mobo erbjuder "minnesträning" eller inte, kan iaf inte hitta någon inställning som t.ex hur många gånger mobot försöker innan det väljer att posta som vanligt. Min sons MSI mobo har en sådan inställning. Jag har bara försökt ändra inställningar direkt i bios/uefi och inte installerat Ryzenmaster. När det gäller xmp profil erbjuder moderkortet bara en, 4000mhz, vilken jag alltså klockat ner till 3733 för att fungera med if klocka (fclk) 1866. Ska fixa bild på de timings som dram calulator föreslår men skriver det här på min platta.

edit: bifogar screenshot från dramcalc... nej det gör jag inte men en länk till bilden

https://imgur.com/a/8LgN1Va

Tack för ditt svar

Gå till inlägget

Med dom där timings så kan en del b-die behöva uppåt 1.45V eller mer i dram spänning, du kan alltid ladda in en XMP profil & köra den i lägre hastighet, profilen i sig gäller för 4000 men moderkort brukar kunna omvandla det till lägre hastigheter med tajtare timings.

Det du far efter är dram boot voltage, alltså den spänning som appliceras vid en kallstart, normalt ska den sättas korrekt, allra helst om du kör XMP profil, en del 400 serien ASUS bord har dock missat detta på tidig bios men även de ska vara fixade med senare bios nu och inget man då behöver pilla på.

Det är långt mer troligt att Dram calcs timings är för aggressiva utan att höja Dram voltage rätt bastant än att boot voltage är boven, du kan även behöva korrigera SoC, CLDO_VDDP och CLDO_VDDG också

Visa signatur

| nVidia RTX3090FE | R9 5950x | MSI x570 Unify | Ballistix sport 3000c15 32GB DR@3800c16 | Custom Loop EKWB | 9TB nvme, 3TB sata SSD | RM1000x | Creative X4 | Lian Li o11 Dynamic | Alienware aw3821dw | >Zen2 på 3-400 mobo< | >x570 VRM< | :::AMD Zen Minnesguide:::|:::AMD Zen & Zen+ Överklockningsguide:::

Redigera
Citera flera Citera
Permalänk
Medlem ★
●

@tellus82: Tack för svaret. Ska testa lite till helgen, hör av mig om hur det går.

Redigera
Citera flera Citera
Permalänk
Medlem
●

Hur stor skillnad bör jag se med 15-15-15-15 istället för 16-16-16-16 på följande inställningar? I aida64-testet så blev Read & Copy runt 1000 MB/s sämre, och latensen var oförändrad på 66.7-67. Inga av de auto-timings som är med i Ryzen Master hade ändrats av sig själva.

Visa signatur

CPU: 3900X | Moderkort: Aorus X570 Ultra | RAM: TridentZ F4-3600C16D-16GTZR | GPU: RTX 2070 Super | Lagring: 970 EVO Plus 1TB + 3TB WD Green EZRX + 4TB Seagate Barracuda | PSU: RM750X v2 | Chassi: Design R6 | Skärm: AOC CQ27G2U | Tangentbord: Varmilo VA109 Moonlight MX Blue | Mus: Razer Deathadder

Redigera
Citera flera Citera
Permalänk
Medlem
●

Ah, jag har nästan glömt/förträngt hur frustrerande det är med memory tweaking på mitt Asus Prime X370-Pro bord. Verkar ännu jobbigare med 3700X jämfört med min gamla 1600X, jag har tex haft två stycken CMOS resets redan med min 3700X, hade inte en enda med min 1600X. Minnena snurrar väl nu på ungefär samma timings som jag fick upp med min 1600X på 3200 MT/s men snabbare hastigheter verkar tufft...

Redigera
Citera flera Citera
Permalänk
Medlem ★
●
Skrivet av makatech:

Ah, jag har nästan glömt/förträngt hur frustrerande det är med memory tweaking på mitt Asus Prime X370-Pro bord. Verkar ännu jobbigare med 3700X jämfört med min gamla 1600X, jag har tex haft två stycken CMOS resets redan med min 3700X, hade inte en enda med min 1600X. Minnena snurrar väl nu på ungefär samma timings som jag fick upp med min 1600X på 3200 MT/s men snabbare hastigheter verkar tufft...

Gå till inlägget

Jag skulle säga att 3200 är bra för Prime X370, inte värt att köpa nytt moderkort för 200-400MHz till beroende på hur bra minnen du har. Tänk på att det är få program som märker skillnad, det är mest benchmarks.

Visa signatur

|| R9 7950X MSI PRO X670-P WIFI 32GB-DDR5-6400c32 MSI RTX4080 Ventus 3X OC || CORE i9 12900KF MSI Z690 Tomahawk WIFI DDR4 32GB-3600c16 Gear1 TUF RTX3080 OC V2 || R7 5800X3D X570S CH8 Extreme 32GB-3800c18 Gigabyte RTX3080 GAMING OC || R9 5900X(B2) B550-F 32GB-3800c18 EVGA RTX3070 FTW Ultra || R9 3900X X470-Prime Pro 32GB-3200c16 MSI RTX2070 Super ||

Redigera
Citera flera Citera
Permalänk
Medlem ★
●
Skrivet av hipstergamer:

Hur stor skillnad bör jag se med 15-15-15-15 istället för 16-16-16-16 på följande inställningar? I aida64-testet så blev Read & Copy runt 1000 MB/s sämre, och latensen var oförändrad på 66.7-67. Inga av de auto-timings som är med i Ryzen Master hade ändrats av sig själva.

https://i.imgur.com/s5Ky0Mx.png

Gå till inlägget

Det kan tyda på att det inte är stabilt, just att man går bakåt i prestanda, minnen tenderar att bete sig så och det kommer sannolikt spotta ur sig lite fel med långa tester. Det kan & andra sidan röra sig om varierande resultat mellan testrundor också, aida tenderar att spotta ur sig en del märkliga resultat emellanåt, jag brukar köra 2-3 tester för att minska chansen att man får en outlier i test. Ett enkelt sätt om man har b-die & se ifall det är instabilitet som orsakar det är att krana på DRAM spänning en smula, speciellt om man ligger under 1.4V, ökar prestanda med ökad dram så är det garanterat instabilt vid den lägre spänningen.

Visa signatur

| nVidia RTX3090FE | R9 5950x | MSI x570 Unify | Ballistix sport 3000c15 32GB DR@3800c16 | Custom Loop EKWB | 9TB nvme, 3TB sata SSD | RM1000x | Creative X4 | Lian Li o11 Dynamic | Alienware aw3821dw | >Zen2 på 3-400 mobo< | >x570 VRM< | :::AMD Zen Minnesguide:::|:::AMD Zen & Zen+ Överklockningsguide:::

Redigera
Citera flera Citera
2 3 4 5 6 7 8 9
Skriv svar
Senaste nyheterna
Hårdvara
Mjukvara
Övrigt
Nytt i forumet
Datorkomponenter
System
Ljud, bild och kommunikation
Spel och mjukvara