Samsung, TSMC och Intel är några av världens största kretstillverkare. Mellan sig har de en ordentlig uppsättning tillverkningsnoder, där utvecklingen går mot mer komplexa och transistortäta varianter för varje generation. I närtid handlar det bland annat om kliv ned till 3 nanometer, något Samsung nu blir först att passera mållinjen för.
Efter att ha påbörjat masstillverkning under årets andra kvartal meddelar bolaget att de första kretsarna nu har levererats. Dessa nyttjar transistordesignen Gate-All-Around (GAA) och ska vid 3 nanometer erbjuda en prestandaökning om cirka 20 procent, ställt mot 5 nanometer. Därtill förbättras energieffektiviteten med 50 procent, samtidigt som kretsarean krymper med drygt 15 procent.
Bildkälla: Samsung
Samsung har i tidigare kvartalsrapporter uppgett att de har både europeiska och nordamerikanska kunder för den nya processen. Tillverkningstekniken väntas bli aktuell för bolagets nästa toppmodell i Exynos-familjen, i form av systemkretsen Exynos 2300. Andra möjliga alternativ inkluderar kommande Snapdragon 8 Gen 2 för specifikt Galaxy S23-familjen.
Det är däremot inte mobiltillverkare som blir först ut att nyttja tillverkningstekniken. De första omgångarna kretsar är istället reserverade för brytning av kryptovaluta, där den betydligt mer energieffektiva tillverkningstekniken väntas ge betydande minskningar sett till energiförbrukning.
Det bör dock tilläggas att först inte nödvändigtvis är störst. Trots rejäla förbättringar på papperet väntas bland annat konkurrenten TSMC gå om vad gäller transistortäthet hos den egna 3-nanometerstekniken, som ska ingå volymproduktion under 2023.
Källa: Samsung (via Wccftech)
