Samsung tog under slutet av år 2018 fram de första testkretsarna för strömsnålt primärminne av typen LPDDR5. Sommaren 2019 var det sedan dags för minnestillverkaren att börja massproducera LPDDR5-kretsar, med storlek på 12 Gb (1,5 GB) per modul. Samsung meddelar nu att den nya minnestekniken tar klivet upp till moduler om 16 Gb (2 GB) vardera, och dessa bjuder dessutom på tunnare design samt högre hastigheter.
De nya minnena tillverkas i världens största halvledarfabrik i Pyeongtaek, Sydkorea. Fabriken sträcker sig över 128 900 kvadratmeter eller motsvarande 16 fotbollsplaner och Samsung uppger att fabriken ska spela en stor roll i företagets framtida planer för DRAM-minnen och nästa generations V-NAND. Minnesjätten satsar på att hålla sig i framkant genom att tillverka nya minneskretsar med hjälp av litografitekniken Extreme Ultraviolet Litography (EUV), vilken reducerar antalet steg i tillverkningen och ökar därför graden av fungerande kretsar (eng. yield).
Världens största halvledarfabrik i Sydkoreanska Pyeongtaek
Jämfört med LPDDR4-minnen med modulstorlek på 12 Gb uppges LPDDR5 om 16 Gb erbjuda runt 16 procent högre hastigheter – 6,4 Gbps istället för 5,5 Gbps. De nya hastigheterna gör det möjligt att överföra 10 filmer om 5 GB vardera, eller totalt 51,2 GB data, på en sekund. Samsung tänker sig att den högre bandbredden kommer komma till nytta i allt från 5G till självkörande bilar.
Samsungs LPDDR5-kretsar byggs med en ny tillverkningsteknik som företaget väljer att kalla "1z". Tekniken gör det möjligt att ta fram minneskapslar som är 30 procent tunnare än föregående generation. Minneskapslarna tillverkas med en total kapacitet om 16 GB vilket utgörs av åtta kretsar på 2 GB (16 Gb) vardera. Det nya minnet lär sannolikt användas i allt från Samsungs egna bärbara produkter till den rika flora av företag som köper in Samsungs komponenter till egna produkter.
Läs mer om Samsung:
