Intel och Tsinghua Unigroup i samtal om samarbete kring NAND-minnen

I ett försök att minska beroendet av utländska aktörer och säkra tillgången på halvledare uppges nu kinesiska Tsinghua Unigroup samtala med Intel om tillverkning av flashminnen.

Marknaden för tillverkning av flashminnen domineras av ett fåtal aktörer, däribland Samsung, SK Hynix, Toshiba och IM Flash Technologies. I dagsläget råder en extrem brist på tillverkningskapacitet, där orsakerna tillskrivs bland annat ökad användning i smarta telefoner och bärbara datorer.

I ett försök att råda bot på problemen uppges nu kinesiska Tsinghua Group vara i samtal med Intel kring en eventuell licenstillverkning av 3D-NAND. Detta skulle isåfall baseras på teknologi från IM Flash Technologies, ett samarbete mellan Intel och tillverkaren Micron Technology.

IM_Flash_HQ.jpg

Specifikt rör det sig om bolagets teknik för tillverkning av 64-lagers 3D-NAND, som togs i bruk under 2017. Tsinghua Group är en av de största mottagarna i ett statligt investeringsprogram, där den kinesiska staten satsar en biljon RMB, motsvarande omkring 1 303 miljarder kronor under de kommande fem åren.

Programmet handlar om att minska Kinas beroende av utländska halvledartillverkare, där målet är att Kina ska ha en självförsörjningsgrad om 70 procent sett till halvledare år 2025.

För konkurrenterna i Korea och Japan kan detta bli ett hårt slag, då det teknologiska försprång de åtnjuter smalnar av om samarbetet går igenom. Marknadsanalytiker menar även på att priserna kan komma att sjunka om den globala tillverkningskapaciteten snabbt ökar.

Källa: Business Korea