Den taiwanesiska kontraktstillverkaren TSMC har utan tvekan vind i seglen gällande bolagets tillverkningstekniska kapacitet. För inte så länge sedan inledde bolaget produktion av dess 5-nanometersteknik med det interna kodnamnet N5, där konkurrens väntades från bland annat Samsung. Den koreanska jätten har istället dribblat bort sig med förseningar på dess egna tillverkning på 5 nanometer, och som salt i såren meddelar TSMC nu att N5 går som tåget.
Under bolagets årliga Technology Symposium pratar nämligen kretstillverkaren om både hur tillverkningen av kretsar på 5 nanometer fortskrider. Företaget diskuterar även dess uppföljare N3 på 3 nanometer, där tillverkning väntas inledas under 2022 års senare hälft. Dessförinnan kommer bolaget finslipa tillverkningen av kretsar på 5 nanometer med processen N5P, samt en mellanlandning på 4 nanometer och processen N4 mot slutet av år 2021.
Gällande den framtida tekniken N3 menar TSMC att transistorer kan packas 70 procent tätare än med N5, vilket ska representera prestandaökningar uppemot 15 procent alternativt 30 procent lägre strömförbrukning än dagens flaggskeppslösning N5. Enligt Anandtech kommer krympningen av SRAM däremot begränsas till 20 procent ställt mot N5 – vilket betyder en minskning om 26 procent av ytan hos kretsar vars SRAM-andel är 70 procent.
Till skillnad från Samsungs tillverkningsplaner för 3 nanometer ska TSMC inte frångå trotjänaren FinFET till förmån av GAAFET, Gate All Around FinFET. Istället menar det taiwanesiska bolaget att mer finns att hämta i den traditionella FinFET-tekniken, vilket inte minst Intel på sistone demonstrerat med 10 nanometer SuperFin.
Exakta detaljer kring TSMC:s N3 och dess litografiska utmaningar avhandlades inte, men användning av EUV, Extreme Ultra-Violet, ökas successivt med processerna N5, N5P och N4. Första kretsarna i handeln på 5 nanometer väntas bli Apples kommande systemprocessorer A14 Bionic.
