Intel avtäcker tillverkningstekniken 10nm Superfin

Kraftigt förbättrade FinFET-transistorer ska ge företagets nya 10 nanometers-process en rejäl skjuts i energieffektivitet och prestanda.

År 2011 presenterade Intel ett av sina största framsteg någonsin inom processortillverkning i form av FinFET-transistorn. Denna i folkmun kallade "3D-transistor" använde sig av en stående kiselfena för att leda strömmen genom transistorn, vilket gav mindre motstånd än en traditionell plan ledningsyta. Detta gav upphov till kraftigt förbättrad energieffektivitet och därmed större marginaler för högre prestanda.

superfin_1.PNG

Sedan dess har FinFET-transistorn används flitigt i företagets processordesigner och hängt med i nodkrympningar från ursprungliga 22 nanometer med Ivy Bridge till 14 nanometer med Skylake och nu senast till 10 nanometer med Ice Lake. Transistorn har mellan varje generation förbättrats, men det har dock rört sig om mindre inkrementella ökningar i energieffektivitet mellan generationerna.

superfin_6.PNG

I takt med ökande svårigheter att krympa tillverkningsprocessen som transistorerna framställt på har företaget lagt allt mer krut på att förbättra FinFET-tekniken för att på det sättet kunna utvinna bättre energieffektivitet utan en regelrätt krympning. Under Intel Architecture Day 2020 avtäcks nu det senaste framsteget, vilket ska ge markanta förbättringar ställt mot dagens FinFET på 10 nanometer.

superfin_7.PNG

Nästa generations FinFET-transistor från Intel går under namnet Superfin och baseras dels på omarbetade material i kiselfenorna för ytterligare lägre resistans samt förbättrade grindar med fintrimmat avstånd som ska möjliggöra högre klockfrekvenser. Därtill implementeras kondensatorer av Super MIM-typ (Metal Insulator Metal), vilka har fem gånger högre kapacitans än tidigare lösningar och ska minska spänningsfallet över transistorn markant.

superfin_8.PNG

Intel hävdar att Superfin-transistorn möjliggör det största klivet i prestanda som företaget någonsin lyckas åstadkomma inom samma tillverkningsnod. Vinsterna mellan 10 nanometer FinFET (Ice Lake) och 10 nanometer Superfin (Tiger Lake) ska enligt företagets egna siffror motsvara ungefär samma förbättringar som gjordes under totalt fem år med 14 nanometer FinFET (Skylake).

superfin_10.PNG

I samband med introduktionen av Superfin-transistorn passar Intel på att dana om bland sina namnscheman för tillverkningstekniker, då dessa har kommit att bli ganska röriga med en handfull plustecken efter nodstorleken. Istället för tidigare antagna 10nm+ kommer nästa tillverkningsteknik att gå under namnet 10nm Superfin.

superfin_13.PNG

Detta är dock inte sista anhalten för Intels tillverkningsnod på 10 nanometer, då vi under nästa år kommer att få se 10nm Enhanced Superfin – det vill säga 10nm++ enligt det gamla namnschemat. På menyn står bland annat ytterligare högre prestanda samt uttalade optimeringar för processorer som ska användas i datacenter och servrar.

Tillverkningsprocessen 10nm Superfin ser dagens ljus under hösten tillsammans med processorfamiljen Tiger Lake, vilken ihop med arkitekturen Willow Cove och Intels nya grafiklösning Xe ska ge markanta förbättringar i prestanda ställt mot nuvarande Ice Lake.

I butiken: Bag of Gaben

En stenhård tygpåse för sanna spelfantaster, som helt och fullt är värdig att transportera guldklimparna i spelsamlingen till valfri destination.

Köp här!