Samsung tar 3D V-NAND till över 200 lager med "string stacking"

Nästa steg i jakten på högre lagringsdensitet är enligt Samsung att stapla redan staplade flashminneskretsar ovanpå varandra.

Koreanska Samsung är med minnestekniken 3D V-NAND dominerande inom flashlagring, och nu meddelar företaget att nästa steg inom SSD-enheter är nyttjandet av så kallad string stacking, vilket handlar om att redan staplade V-NAND-kretsar staplas på varandra. Konceptet att stapla färdiga produkter på varandra lyftes så tidigt som år 2015 av bland annat The Memory Guy.

Nu gör Samsung slag i saken och beskriver i ett blogginlägg att nästa steg för V-NAND i nästa generations lagringsprodukter är något som kallas string stacking, där minneskretsar staplas på varandra. Resultatet blir högre lagringsdensitet då teknologin tillåter vidarebyggnad på höjden, där Samsung redan talar om över 200 lager i ett paket. Som jämförelse utgörs nuvarande 3D-staplade minneskretsar av upp till 144 lager som mest.

Även prestandaförbättringar utlovas, men preciseras inte i detalj. Enligt Semiconductor Engineering kan string stacking ta 3D NAND-flashminne upp till omkring 300 lager. Viktigt är även att ha i åtanke att det inte är färdigpaketerade kretsar som fysiskt staplas på varandra, utan att exempelvis två NAND-produkter om 96 lager vardera i ett paket. Kostnaden ökar således inte två- eller trefaldigt för varje "staplat" paket beroende på hur många lager som byggs in.

När kretsar som utnyttjar string stacking återfinns i handeln återstår att se. Sjätte generationens V-NAND-flashminne från Samsung såg dagens ljus under år 2019. Denna bygger på upp till 136 lager med kapacitet om 256 gigabit per krets, där varje krets tillverkas kring hela 670 miljoner hål.

Läs mer om NAND-flashminne: