Samsung ger telefoner SSD-prestanda med UFS 3.1

Samsung inleder produktionen av UFS 3.1-lagringsminne, som erbjuder upp till tre gånger högre lagringsprestanda än föregångaren.

En aspekt av telefoners prestanda som typiskt inte får lika mycket uppmärksamhet som processor- och grafikdelel är lagringsprestanda. Telefonernas flashbaserade lagring bygger i regel på minnestekniken UFS, där standardiseringsorganet JEDEC spikade version 3.1 av standarden under februari månad.

eUFS_UFS3.1-Press-Release_4.jpg

Nu presenterar Samsung lagringsminne baserat på UFS 3.1-standarden, med tre gånger högre prestanda ställt mot föregångaren. Formatet är det första interna lagringsminnet att överstiga skrivhastigheter om 1 GB/s. Läshastigheten hamnar på 2 100 MB/s och skrivhastigheten på 1 200 MB/s, vilket är tio gånger högre än vad dagens Micro SD-minneskort erbjuder.

Enligt Samsungs uppgifter tar det cirka 1,5 minuter att överföra 100 GB data med UFS 3.1, att jämföra med UFS 3.0 där samma mängd data tar 4 minuter att överföra. Sett till slumpartade läsningar når minnet 100 000 IOPS och 70 000 IOPS för skrivningar, en ökning på 60 respektive 30 procent ställt mot UFS 3.0. Den högre prestandan ska bland annat komma till nytta för 8K-videoinspelning.

Samsung har inlett volymproduktion av UFS 3.1-moduler i storleksklassen 512 GB, men meddelar att kapaciteter om 256 GB och 128 GB blir tillgängliga under året. Det nya minnet ska användas i flaggskeppstelefoner som lanseras senare i år, vilket sannolikt handlar om årets upplaga av Galaxy Note.

Läs mer om lagringsstandarder:

I butiken: SweClockers Logo Tee – Reapris 179 kronor!

Swec_gubbe_T.jpg

Den legendariska SweClockers-gubben! Denna högtidsklädsel passar bäst att använda på särskilt minnesvärda dagar, såsom grafikkortslanseringar, och bör likt andra värdesaker förvaras i kassaskåp.

Köp här!