Intel når 10 miljoner tillverkade SSD-enheter med minnestekniken QLC

Intels SSD-enheter i 660-serien och Optane H10 når en milstolpe och företaget menar att tekniken är här för att stanna.

Marknaden för flashminnen är under ständig utveckling, på jakt efter både såväl högre prestanda som lägre priser. Ett av de mer sentida påfunden med fokus på pressade priser är Quad Level Cell (QLC)-tekniken som höjer lagringsdensiteten till fyra bits per minnescell, upp från traditionella en-, två- eller tre bitarsceller.

Först ut med SSD-enheter baserade på QLC-teknik var Intel, som nu meddelar att de nått milstolpen 10 miljoner tillverkade enheter i form av 2018 års SSD 660p, efterföljaren SSD 665p samt Optane H10.

Many have talked about QLC technology, but Intel has shipped it, and at scale. – Dave Lundell, director of Client SSD Strategic Planning and Product Marketing, Intel

Intels produktion av QLC 3D NAND inleddes under 2018 med enheten SSD 660p som byggde på kretsar bestående av 64 lager med en kapacitet på 1 024 Gb (128 GB) och erbjöd upp till 1 800 MB/s i både skriv- och läshastigheter. IOPS för enheterna specificerades till upp till 220 000.

År 2019 förfinades processen, huvudnyheten var att antalet lager i kretsarna ökade till 96 för en 50-procentig ökning i lagringsdensitet. Detta banade väg för inte bara SSD 665p, nu med högre skriv- och läshastigheter (2 000 MB/s) och IOPS (250 000) utan även Optane H10 som kombinerar 256, 512 eller 1 024 GB NAND med 16 eller 32 GB 3D XPoint-cacheminne.

intel-storage-roadmap-2020.png

I ett pressmeddelande låter Intel även hälsa att satsningen på QLC 3D NAND-baserade SSD-enheter har fallit väl ut till den grad att den ska ses som en permanent del av dess produktportfölj. År 2020 sjösätter företaget andra generationens QLC-produkter med kodnamnen Cliffdale-R och Arbordale+ som tar klivet upp till 144 lager per cell.

Huruvida Samsung, en av få andra aktörer inom konsumentprodukter byggda runt QLC skördar liknande framgångar återstår att se. Likaså om Kioxia kan ta upp kampen om allt högre lagringsdensitet med dess semicirkulära minnesstruktur.