Samsung lanserar SSD-enheter med sjätte generationens V-NAND

Massproduktion av SSD-enheter med sjätte generationens Flash-minne V-NAND har inletts, som blir först med att stapla över 100 lager i en minneskrets.

Bland konsumentorienterade produkter som använder sig av NAND Flash-minne är stor lagringskapacitet till låga priser en ständig strävan hos företag som utvecklar lagringsprodukter, och Samsung avtäcker nu det senaste verktyget i denna strävan i form av sjätte generationens V-NAND.

V-NAND är en form av NAND-minne där minneskretsar staplas vertikalt, med ökad lagringsdensitet, förbättrad energieffektivitet och prestanda som fördelar. Samsung var först med att introducera kommersiellt tillgängliga SSD-enheter med V-NAND under 2013, och har nu kommit fram till den sjätte versionen av företagets implementation av tekniken.

samsung_v-nand.jpg

Samsung var först ut på marknaden med 3D-staplad V-NAND-minne.

Samsung meddelar att företaget har inlett massproduktion av SSD-enheter för SATA-gränssnittet med 250 GB lagringskapacitet. Dessa bygger på en förbättrad teknik i hur minneskretsarna staplas, där en minneskrets på 256 gigabit (32 GB) utgörs av 136 lager i en 3D-stapel. Detta innebär en ökning av antalet minnesceller med 40 procent jämfört med föregående generations V-NAND.

Läs mer om de olika typerna av NAND Flash här.

I takt med att 3D-staplade minneskretsar ökar i höjd tenderar de att bli mer sårbara för fel och ökad latens i läsningar från minnescellerna. Samsung har bestyckat sjätte generationens V-NAND med en ny kretsdesign som ska undvika läsfel, och reducera latens i kommunikationen. Latens uppges vara 450 mikrosekunder för skrivningar och under 45 mikrosekunder för läsningar.

Detta är en prestandamässig förbättring om 10 procent jämfört med föregående generations teknik, medan energieffektiviteten ska vara 15 procent bättre. Att Samsung har kunnat stapla över 100 lager i en minneskrets innebär att lagringskapaciteten kan utökas lättare och mer kostnadseffektivt genom att koppla samman flera minneskretsar.

Samsung har även aviserat planer för minneskretsar med högre kapacitet om 512 gigabit (64 GB) TLC NAND per minneskrets. Då Samsung meddelar att sjätte generationens V-NAND är mer tillverkningseffektiv än sin föregångare kan tekniken medföra högre lagringskapacitet i både SSD-enheter och mobila lagringskretsar, samtidigt som prisnivåerna inte behöver skjuta i taket.

Samsung har inlett produktionen av den första SSD-produkten med sjätte generationens V-NAND med 250 GB lagringskapacitet, och planerar att introducera minneskretsar med högre lagringskapacitet för både SSD-lagring och mobila produkter i form av eUFS-lagring under andra halvan av 2019.

Läs mer om NAND-lagring:

I butiken: SweClockers Hardware Dreams

Surfar du SweClockers om nätterna? Drömmer du om nästa datorbygge? Denna midnattsblå t-shirt är specialdesignad för tvättäkta entusiaster som älskar datorer och hårdvara. Begränsad upplaga!

Köp här!