Intel lanserar Optane Memory H10 – SSD med 3D Xpoint-cacheminne

Nyligen presenterade Intel den nya SSD-familjen Optane Memory H10, där traditionellt NAND-minne får prestandaskjuts av Optane-minne. Nu lanseras familjen i sällskap med specifikationer.

Under CES 2019 presenterades Intels nya SSD-familj Optane Memory H10. Detta är en produktserie där QLC NAND-minne paras ihop med snabbare Optane-minne som agerar cache. Nu lanserar Intel Optane Memory H10-familjen i konfigurationer om 256 GB, 512 GB och 1 TB.

Intel Optane Memory H10 är en ny tillämpning av Intels 3D Xpoint, som utgör minnestekniken i tidigare Optane-produkter. Med Optane Memory H10 kombinerar Intel en Optane-minnesmodul med en QLC NAND-baserad SSD i en och samma lagringsenhet, för att nyttja de bådas styrkor och fördelar.

Egenskap

Kapacitet

Formfaktor

M.2 2280 (enkelsidig)

NAND-kontroller

Silicon Motion SM2263

Sekventiell läsning

2 400 MB/s

Sekventiell skrivning

1 800 MB/s

4KB slumpartad läsning

QD1: 32K IOPS
QD2: 55K IOPS

4KB slumpartad skrivning

QD1: 30K IOPS
QD2: 55K IOPS

Garanti

5 år

Angiven livslängd

300 TB skrivningar

En av egenskaperna med QLC NAND är att det kan paketera fyra bitar per minnescell, vilket ger högre lagringsdensitet än tidigare NAND-tekniker. NAND av TLC-typ kan lagra tre bitar per cell, MLC två bitar per cell och SLC en bit per cell. Detta ger lägre lagringsdensitet, men de ger också högre läs- och skrivprestanda mot minnescellerna jämfört med QLC NAND.

I Optane Memory H10-familjen används 3D Xpoint som cache för att kompensera för den lägre prestandan hos QLC-minnet. Optane Memory H10 lanseras initialt med tre lagringskapaciteter – 256 GB, 512 GB och 1 TB. Modellen med 256 GB lagring bestyckas med Optane-minne på 16 GB medan modellerna med 512 GB och 1 TB bestyckas med 32 GB Optane.

h10-layout.jpg

Både NAND-minne och Optane-minne huserar på enkelsidiga M.2-moduler, där hälften av modulen upptas av Optane-minneskontrollen och kretsar för strömhantering. Modulens andra halva upptas av DRAM, QLC NAND-minne samt minneskontrollern Silicon Motion SM2263. Modulerna ansluter över PCI Express 3.0 x4.

Intels egna prestandauppgifter för Optane Memory H10 anger slumpmässiga IOPS-skrivningar på 32 000 vid ködjup 1 (QD1) och 55 000 slumpmässiga IOPS-skrivningar vid ködjup 2 (QD2). Detta är betydligt högre resultat än vad Intels 660p-familj mäktar med, men väsentligt lägre än vad Optane-minnen kan prestera.

Intel Optane Memory H10-enheterna uppges dra 15 milliwatt i viloläge genom att använda vilotillstånden i PCI Express-gränssnittet. Enheternas livslängd uppges vara 300 TB för modellen med 1 TB lagring, vilket är 50 procent högre än den QLC-baserade Intel 660p SSD-familjen. Garantitiden är fem år.

Intel har inte officiellt bekräftat att Optane Memory H10 ska lanseras som fristående komponenter men enheterna är kompatibla med Intel-moderkort med 300-seriens styrkretsar och åttonde generationens mobila Core U-processorer. Produktfamiljen kommer sannolikt först nå marknaden i bärbara datorer för att senare bli tillgängliga som fristående komponenter.

Läs mer om Intel Optane: