Samsung är världens största minnestillverkare och lägger mer pengar på utveckling och expansion av den verksamheten än vad vissa länder har i budget. Bland utvecklingsområdena märks bland annat staplade NAND-minnen som bolaget kallar 3D V-NAND såväl som grafik- och primärminnen.
I sistnämnda kategorin avtäcker nu Samsung ett nytt tillverkningstekniskt framsteg, då bolaget färdigställt tredje generationens 10 nanometer-klassade nod. Samsung anger inga närmare detaljer när det kommer till själva geometrin, men tack vare densitetsökningar ska varje kiselplatta ge 20 procent fler 8 Gb (1 GB) DDR4-kretsar.
Bolaget trycker även på att Extreme Ultraviolet Litography (EUV) inte används i tillverkningen utan istället nyttjas för mer traditionella verktyg. Även om EUV kan ge färre moment i tillverkningsprocessen för lägre kostnader och högre andel fungerande kretsar, så är dagens maskiner både dyra och relativt långsamma.
Samsung inleder volymtillverkning av de nya 8 Gb-kretsarna under 2019 års andra hälft, vilket kan föra med sig prissänkningar då varje kiselplatta nu ger fler kretsar. Företaget kommer därefter introducera varianter med högre prestanda och kapacitet, samt tillverka andra minnestyper som GDDR6 och DDR5 med tekniken.
