Western Digital och Toshiba förbereder NAND-minnet BICS5 med 128 lager

Western Digital och Toshiba fortsätter sitt samarbete och satsningen på minneskretsarna i BICS-familjen. Senast ut är BICS5, som kommer med högre prestanda och densitet.

I jakten på allt högre densitet i minneskretsarna räcker det inte med bara krympt tillverkningsteknik. Tillverkare har istället börjat nyttja staplade minneskretsar, och minnesceller som kan hålla mer än en bit data. Numera är Triple-level Cell (TLC) vanlig, medan Quad-level Cell (QLC) tittar fram allt mer.

Quad-level Cell har dock vissa problem med prestanda, livslängd och ibland även yields, andel fungerande kretsar. Nästa generations minneskretsar från Western Digital och Toshiba inleder därför med TLC-minne på 512 Gb per krets, motsvarande 64 GB. Tekniken kallas BICS5 och Blocks & Files har lagt vantarna på detaljerna från en teknikkonferens i San Fransisco där bolaget berättade mer.

BICS5 tar steget upp till 128 minneslager, att jämföra med 96 för fjolårets BICS4 och Samsungs senaste minneskretsar. Jämfört med nuvarande TLC-kretsar med 96 minneslager ska detta ge 33 procent högre minneskapacitet per krets, förutsatt att samma tillverkningsteknik nyttjas.

Samtidigt ska BICS5 erbjuda andra förbättringar tack vare att logik även den staplas på höjden och läggs under minnescellerna genom tekniken Circuit-under-Array. Analytiker på Wells Fargo beräknar att detta tillsammans med andra förbättringar ska fria upp 23 procent mer kretsyta.

BICS 5 4 planes vs 2 planes.jpg

Följaktligen kan prestandan höjas eller priset per krets sänkas. Förstnämnda verkar ha infriats, då varje BICS5-krets delas upp i fyra plan istället för de traditionella två. Varje plan kan adresseras parallellt, vilket gör att skrivprestandan dubbleras från 66 MB/s till 132 MB/s.

Produktionen av Western Digital och Toshibas BICS5-kretsar väntas ske under 2020, med begränsad tillgänglighet i kommersiella produkter mot årets slut.

Läs mer om minnesmarknaden: