Utvecklingen av NAND Flash-teknik för lagringsminne har pågått stadigt de senaste åren. NAND-minne som använts i exempelvis SSD-enheter använde inledningsvis den enklare lagringstekniken SLC, kort för Single-Level Cell där en bit lagrades per minnescell. Den rådande tekniken har varit TLC, Triple-Level Cell, där tre bitar lagras per minnescell.
Nästa steg är föga överraskande att lagra fyra bitar per minnescell. QLC eller Quad-Level Cell har utannonserats sedan tidigare, och nu meddelar Western Digital att företaget påbörjat testtillverkning av 3D NAND-kretsar som nyttjar företagets QLC-baserade teknik BICS4. Här använder Western Digital 96 lager minnesceller vilket ger totalt 1,33 Tb, eller 166 GB, lagring per krets.
Detta blir Western Digitals andra generation av 3D QLC NAND-minne. I fjol lanserades första generationen av tekniken vid namn BICS3 som utvecklades tillsammans med Toshiba. Då var den maximala lagringskapaciteten 768 Gb per krets, eller 96 GB. Första generationen användes inte i bred utsträckning i kommersiella produkter utan användes sannolikt för att förfina tillverkningen.
Western Digital och Toshiba började skeppa NAND-minnen med BICS4-tekniken till partners redan i maj, så nyheten om att testtillverkningen har inletts på större skala innebär sannolikt att tillverkningen är så pass mogen att den kan expanderas till ett större antal produkttyper, exempelvis USB-minnen och SD-minneskort.
BICS4 har använts i en rad lagringsprodukter redan där både TLC och QLC nyttjats som minnesarkitektur. Här har lagringskapaciteterna gått från 256 Gb till 1 Tb, och att de nya kretsarna med 1,33 Tb lagringskapacitet är redo för produktion så nära inpå antyder att tillverkningsprocessen redan är mogen.
Volymtillverkning av lagringsprodukter med de nya minneskretsarna ska inledas under det pågående kalenderåret och kommer användas i konsumentprodukter från Western Digitals varumärke Sandisk. Planen är att expandera användningen till SSD-lagring för såväl konsumenter som enterprise-tillämpningar.
