Samsung börjar tillverka UFS-minne med 512 GB lagring

Samsung meddelar nu att de påbörjat tillverkningen av en ny typ av UFS-minne med 512 GB lagring, vilken bland annat väntas användas i företagets kommande smarta telefoner.

I början av 2015 introducerade Samsung en ny typ av lagring med namnet Embedded Universal Flash Storage (eUFS), med kretsar på 128 GB. Tekniken har därefter använts i ett flertal smarta telefoner på marknaden, däribland Samsungs egen modell Galaxy S8.

Nu meddelar Samsung att de påbörjat tillverkningen av en ny typ av eUFS-minne, med en fyrdubblad lagringskapacitet på 512 GB. Denna består av åtta 64-lagers V-NAND-kretsar som staplas ovanpå varandra på samma yta som de nuvarande 256 GB-modellerna. Enligt Samsung kan 512 GB-modellen lagra 130 stycken videoklipp med en längd på 10 minuter i 4K-upplösning.

Sett till prestanda anges en läshastighet på 860 MB/s och en skrivhastighet på 255 MB/s och är cirka åtta gånger snabbare än ett vanligt Micro SD-kort. Sett till slumpmässiga läsningar och skrivningar har den nya modellen 42 000 respektive 40 000 IOPS, vilket kan jämföras med 100 IOPS för Micro SD.

Samsungs eUFS-minne med 512 GB lagring ska användas i nästa generations smarta telefoner, men exakt vilka modeller det handlar om är i dagsläget okänt. Detta tros dock innefatta bolagets uppföljare till Galaxy S8.