Tidigare under sommaren blev Toshiba först ut med nästa stora utveckling inom traditionella NAND-flashkretsar. Det handlade då om en övergång till QLC NAND, där varje cell kan lagra fyra bitar data istället för tre med TLC, två med MLC och en med SLC.
Under Flash Memory Summit hoppar Samsung på tåget med sin motsvarande lösning, kallad QLC V-NAND eller femte generationens V-NAND från Samsung. Nytt här är att det kombinerar konceptet Quadruple-Level Cell (QLC) med att de ökar antalet lager minnesceller från tidigare 64 till 96 stycken.
Tillsammans ger båda egenskaper världens högsta kapacitet på en minneskrets – 1 Tbit eller motsvarande 128 GB, likt Toshibas lösning. Vidare kan 32 av dessa staplas på varandra för att skapa en kapsel med en total kapacitet på 4 TB. Det här gör det möjligt att ta fram SSD-enheter med skyhöga kapaciteter, där Samsung planerar en SAS SSD-enhet på massiva 128 TB.
När Samsungs nya QLC V-NAND släpps i färdiga produkter för konsumenter och företag framgår inte, men det är troligt att det blir någon gång innan slutet av året då Samsung arbetar på en ny generation SSD-enheter för konsumenter.
Källa: PC Perspective
