För ungefär ett år sedan gick halvledarjätten Intel ut med att de skrotar sin traditionella Tick-Tock-strategi för processorer, där en tillverkningsteknik följs av en ny arkitektur för att sedan följas av ytterligare en processkrympning.
Strategin ersattes av en mer långtida metod, där varje tillverkningsteknik får en längre livslängd innan nästa krympning sker. Anledningen till detta är tillverkningstekniska svårigheter att nå mindre tekniknoder i samma takt som tidigare, där fysikens lagar sätter fler käppar i hjulen ju mindre transistorerna blir.
Med längre perioder mellan varje nodkrympning förutspådde många slutet för Moores Lag, påståendet att transistorantalet dubbleras vartannat år, något som Intel nu tillbakavisar under evengemanget Technology and Manufacturing Day.
Där transistortätheten traditionellt sett har fördubblats vid varje processkrympning är detta inte fallet med de senare generationernas tillverkningsprocesser hos företaget. Vid steget till 14 nanometer från 22 nanometer ökade exempelvis transistortätheten med 2,5 gånger medan steget till 10 nanometer beräknas öka tätheten med hela 2,7 gånger i jämförelse mot nuvarande generation.
Den ökade transistortätheten möjliggörs bland annat av ett antal optimeringar som samlats under paraplynamnet hyper scaling. Det rör sig om allt ifrån minskat avstånd mellan grindar och fenor till färre utfyllnadsgrindar mellan cellerna och staplade kontaktpunkter för grindarna.
I samma veva passar Intel på att ge en känga åt sin konkurrenter, där dessa sägs ligga tre år efter företaget sett till transistortäthet. Intel hävdar att andra aktörers tillverkningsprocess i 10 nanometer är ungefär på nivå med företagets egna 14 nanometersprocess i transistortäthet. När Intel når massproduktion av processorer i 10 nanometer förutspår företaget att ha en dubblerad transistortäthet i jämförelse med konkurrenter som Samsung och TSMC vid samma nod.
Intels steg till 10 nanometer tas med arkitekturen Cannonlake som väntas lanseras i slutet av året för ultraportabla bärbara datorer.
