Stora delar av halvledarindustrin rustar upp för övergången till 16 och 14 nanometer, där mindre kretsyta ackompanjeras av högre prestanda och lägre strömförbrukning. Vid sidan om detta pågår forskning för framtida tillverkningsnoder, där både TSMC och Intel hoppas sjösätta sina 10-nanometerstekniker under 2017.
Nu tillkännager IBM att de i samarbete med sina partner i Common Platform, där Samsung och Globalfoundries ingår, samt State University of New York (SUNY) har tillverkat en första krets på 7 nanometer med fungerande transistorer. Det här tack vare två tillverkningstekniska genombrott.
Under 10 nanometer är gapet mellan transistorkanalerna så litet att endast ett fåtal kiselatomer ryms och inte längre klarar av att flytta tillräckligt med ström. Det här har IBM löst genom att tillsätta germanium och skapa legeringen kiselgermanium (SiGe) för ökad elektronrörlighet.
Det andra är användningen av den ständigt försenade tekniken Extreme Ultraviolet Lithography (EUV), som till skillnad från dagens argonflouridlaser har en våglängd på 13,5 nanometer istället för 193 nanometer. Det här möjliggör färre litografiska steg, vilket i sin tur drar ned tillverkningskostnaderna – en nödvändighet för att göra tillverkningsnoder under 10 nanometer ekonomiskt försvarbara.
Den framtida 7-nanometerstekniken sägs dubblera transistordensiteten jämfört mot 10 nanometer, det vill säga en reduktion med 50 procent för en given krets. IBM med partner siktar dessutom på att leverera 50 procent bättre prestanda per watt, vilket således bör betyda ännu större förbättringar i jämförelse med 14 nanometer från Samsung och Globalfoundries.
Tillverkningen på 7 nanometer är beräknad till någon gång under 2017–2018, vilket förutsatt att de håller schemat skulle betyda att Intels mångåriga hegemoni inom halvledarindustrin bryts.
Källa: Ars Technica.
