Toshiba och Sandisk gör NAND-flashminne i 15 nanometer

Minnestillverkarna Toshiba och Sandisk meddelar att bolagen inom kort inleder massproduktion av NAND-flashminne i 15 nanometer, som ska användas i allt från smarta telefoner till SSD-enheter.

I jakten på marknadsandelar pressas priserna på SSD-lagring från alla håll och kanter, men utvecklingen kan inte tillskrivas nya tillverkningstekniker, som annars ses som det mest effektiva sättet att få ned priserna. Nu meddelar Toshiba och partnern Sandisk att de är på god väg att ta nästa stora teknikkliv till 15 nanometer, som ska ersätta deras nuvarande 19 nanometersteknik.

Toshiba_NAND.jpg

Övergången från NAND-flashminne i 19 nanometer till 15 nanometer borgar för en reducerade kretsyta med 40 procent med bibehållen lagringskapacitet, någonting aktörerna kommer dra nytta av från start genom att inleda massproduktionen med en MLC-baserad krets på 128 gigabit (16 GB).

Aktörerna arbetar även på minnen med TLC-teknik, vilket innebär att tre bitar data kan lagras per minnescell, istället för två med MLC. Det här leder framförallt till ytterligare lägre produktionskostnad, men medför även att livslängden på cellerna sjunker. Samtidigt meddelar Toshiba att bolaget ska utveckla en kontrollerkrets anpassad för de TLC-baserade minneskretsarna.

I samband med övergång till den nya tillverkningstekniken introduceras även ett snabbare gränssnitt. Medan de nuvarande minneskretsarna från Toshiba och Sandisk har teoretiska överföringshastigheter på 400 Mbps, ökas det till 533 Mbps med de framtida kretsarna på 15 nanometer.

Masstillverkningen med den nya 15 nanometerstekniken inleds i april och juni för kretsar baseras på MLC- respektive TLC-teknik. Det dröjer dock sannolikt till 2015 innan minnena hittar in i färdiga produkter, vilket kommer innefatta allt från smarta telefoner till surfplattor, persondatorer och företagsklassade lösningar.