TSMC påskyndar kretstillverkning på 2 nanometer

TSMC påskyndar kretstillverkning på 2 nanometer

Nya litografilösningar för framtida kretstillverkning påskyndar utvecklingsprocessen – men lämnar avtryck i företagets budget.

Läs hela artikeln här

Ska bli intressant att se vad de kommer att använda för namn på tillverkningsprocesserna när de kommit ner "under 1".

När exakt var det man slutade använda "faktiska" nanometer som namn? Jag vill minnas att Sandy Bridge var "äkta" 32nm och Ivy Bridge var "äkta" 22nm, dvs "half-pitchen" mellan två minnesceller.

Nu var det ju Intel som skapade SB och IB, och TSMC har väl kanske aldrig riktigt använt samma definition?

Någon som kan svara på frågan utan att jag behöver googla?

Kisel på 2 nm trodde inte jag iaf. Måste vara extremt bra kontroll de fått med EUV för att få till det

@Mithras: För vad det är värt så började Wikichip skriva att "storleken" bara är ett marknadsföringsnamn vid 22 nm.

Skrivet av DerpMcDerp:

Ska bli intressant att se vad de kommer att använda för namn på tillverkningsprocesserna när de kommit ner "under 1".

Efter nano så kommer pico.

Skrivet av perost:

@Mithras: För vad det är värt så började Wikichip skriva att "storleken" bara är ett marknadsföringsnamn vid 22 nm.

Var det så pass alltså? Här trodde man att Intel fortfarande höll sig till "riktiga" definitionen även vid 14nm, vilket ledde till alla +++++++ och varför de haft så svårt med "äkta" 10nm.

Skrivet av Mithras:

När exakt var det man slutade använda "faktiska" nanometer som namn? Jag vill minnas att Sandy Bridge var "äkta" 32nm och Ivy Bridge var "äkta" 22nm, dvs "half-pitchen" mellan två minnesceller.

Nu var det ju Intel som skapade SB och IB, och TSMC har väl kanske aldrig riktigt använt samma definition?

Någon som kan svara på frågan utan att jag behöver googla?

Half-pitch och gate lenght har inte minskat sedan 45/32nm så det går inte att mäta dessa på det viset längre.

Allting har idag med att göra med att mäta densiteten man kan åstadkomma på SRAM-celler per kvadratmillimeter och liknande.

För vissa typer av transistorer och behov skalar kanske inte nya noder alls, något som AMD redan sagt ganska tydligt med I/O-die och chiplet design. Helt enkelt så är det inte värt att krympa vissa typer av logik för att de kommer ta upp samma mängd yta på den mindre noden ändå (eller iaf en yta som är dyrare att tillverka än på den gamla noden utan att ge någon tillräckligt stor förbättring)

https://en.wikichip.org/wiki/technology_node

Vad säger ni, transistorer/area vore väl ett mer rättvist mått?

Skrivet av dlq84:

Vad säger ni, transistorer/area vore väl ett mer rättvist mått?

Transistorer har inte en storlek på det viset, och samtidigt beror det på klockfrekvens eftersom vissa tekniker tillåter högre hastighet på bekostnad av yta...

Jag skulle säga att antalet transistorer per yta i färdiga kretsar kan vara ett mått värt att mäta? Men ser ut som att det varierar extremt. Bara på 7nm skiljer det så mycket att navi har hälften av densiteten mot Apples kretsar... båda är ju ’7nm’ men av olika typ.

Inte så lätt som med så mycket annat nu för tiden. Processorer är inte heller bättre än andra förutom i specifika laster eller mått. ARM är billigare att tillverka och drar mindre ström, Intel är högre klockade, AMD har bäst multitrådad prestanda på x86-64... Beroende på vad du behöver/mäter kommer du få fram ett specifikt resultat för dina behov

Skrivet av Mithras:

När exakt var det man slutade använda "faktiska" nanometer som namn? Jag vill minnas att Sandy Bridge var "äkta" 32nm och Ivy Bridge var "äkta" 22nm, dvs "half-pitchen" mellan två minnesceller.

Nu var det ju Intel som skapade SB och IB, och TSMC har väl kanske aldrig riktigt använt samma definition?

Någon som kan svara på frågan utan att jag behöver googla?

Nu har du nog fått de svar du var ute efter (wikichip artikeln tar upp detta bra). Men skulle nog säga att det var med just Ivy Bridge detta startade då FinFET introducerades då. Iom FinFET så kunde man ju öka densiteten rätt mycket utan att behöva minska gate length. Enligt wikichips gick intel från en 30nm gate length till 26nm när man gick från 32nm noden till 22nm. Och även långt innan detta så var det inte säkert att nm på nodnamnet stämde med gate length, men då åt andra hållet:

"Roughly for the first 35 years of the semiconductor history, since the first mass production of MOSFET in the 1960s to the late 1990s, the process node more or less referred to the transistor's gate length (Lg) which was also considered the "minimum feature size". For example, Intel's 0.5 µm process had Lg = 0.5 µm. This lasted until the 0.25 µm process in 1997 at which point Intel started introducing more aggressive gate length scaling. For example, their 0.25 µm process had Lg = 0.20 µm and likewise, their 0.18 µm process had Lg = 0.13 µm (a node ahead). At those nodes the "process node" was effectively larger than the gate length."

"At the 45 nm process, Intel reached a gate length of 25 nm on a traditional planar transistor. At that node the gate length scaling effectively stalled; any further scaling to the gate length would produce less desirable results. Following the 32 nm process node, while other aspects of the transistor shrunk, the gate length was actually increased.

With the introduction of FinFET by Intel in their 22 nm process, the transistor density continued to increase all while the gate length remained more or less a constant. This is due to the properties of FinFET; for example the effective channel length is a function of the new fins (Weff = 2 * Hfin + Wfin). Due to how the transistor changed dramatically from how it used to be, the current naming scheme lost any meaning. "

https://en.wikichip.org/wiki/technology_node

Senast redigerat 2020-06-08 12:50
Skrivet av DerpMcDerp:

Ska bli intressant att se vad de kommer att använda för namn på tillverkningsprocesserna när de kommit ner "under 1".

Bara några få steg kvar nu, så hamnar de på negativa nanometer, och kretsarna kommer inte ta någon plats alls utan tvärtom skapa extra utrymme. Jag är rätt säker på att det är så det fungerar.

Intel: Moores Law is dead!
TSMC:Hold my beer!

Allt bättre än 14 nm är överskattat.

Skrivet av DerpMcDerp:

Ska bli intressant att se vad de kommer att använda för namn på tillverkningsprocesserna när de kommit ner "under 1".

Som nämnts så kommer pico efternano. Och som ett exempel så är 0,8 nanometer (vilket också funkar som namn) lika med 800 picometer.

Fast eftersom säljare sätter namnen och inte forskare så tror jag mer på "Sub nano experience (tm)"

@talonmas: Intel har patenterat nm++ eXtreme, medans AMD går med Radeon ULTRAmeter

Skrivet av DerpMcDerp:

Ska bli intressant att se vad de kommer att använda för namn på tillverkningsprocesserna när de kommit ner "under 1".

Kommer fortfarande ihåg när man slutade använda mikrometer eller "micron" för att benämna tillverkningsprocessen...

Skrivet av Pepsin:

Kommer fortfarande ihåg när man slutade använda mikrometer eller "micron" för att benämna tillverkningsprocessen...

När gjorde man det?

Skrivet av catamaran:

Allt bättre än 14 nm är överskattat.

Självklart finns det stora fördelar med att fortsätta i den riktningen som de gör. Eller tror du företagen lägger alla dessa pengar på utvecklingen bara för att kunna marknadsföra med en bättre siffra? Att stanna på 14 nm är bara dumt.

Skrivet av jan-banan:

När gjorde man det?

Borde väl vara runt 2004.

Jag vill bestämt minnas att Pentium III coppermine oftast benämndes med Nanometer så 0.18µ, i viss mån gjorde 0.13µ det också vilket bland annat var senare Athlon XP, köpte den första 2Ghz från AMD, 2400+ som var först för dom ut på 0.13µ om jag inte mins fel runt 2002.
Intel började använda 0.13µ med Nortwood baserade Pentium 4 som var en känd överklockare.

Vid 0.09µ så blev väl 90nm uttrycket mycket mer vanligt då det började blir lite många nollor och med 65nm så kan jag inte minnas att någon skrev tex 0.065µ.
AMD erbjöd 90nm vid 2004 i alla fall.

Så för mig så använde man Mikron alltså µ ner till ungefär 130nm och vid 90nm slutade man med med mikrometer mer eller mindre.

I dag anges ofta gamla processorer i Nanometer istället för Mikrometer, men det förekom nog även på den tiden men vem bryr sig om Pentium i dag skrivs ut med 350nm eller 0.35µ.
Sedan blir det lite enklare att sammanställa data genom att retroaktivt ange gamla processorer i nanometer när man jämför dom med modernare diton.

Men (µ) Mikrometer var vanlig ända ner till 130nm i alla fall förr i tiden.

0.1 nm är 1 väteatom i diameter - skall bli intressant vilka exotiska material man tänker använda när kommit till den punkten och vill krympa ännu mindre

med andra ord 'väggen' finns där och den lär man inte ta sig förbi i första taget när det gäller nedskalning vidare.

Skrivet av xxargs:

0.1 nm är 1 väteatom i diameter - skall bli intressant vilka exotiska material man tänker använda när kommit till den punkten och vill krympa ännu mindre

med andra ord 'väggen' finns där och den lär man inte ta sig förbi i första taget när det gäller nedskalning vidare.

Processnoder betyder inte fysisk storlek tyvärr