Där Intel står och trampar vatten med sin övergång mot tillverkning på 10 nanometer passar konkurrenterna TMSC och Samsung på att nyttja situationen till sin fördel. Taiwanesiska TSMC har redan inlett produktion på 5 nanometer, där företaget för första gången kommer ta ledningen i transistordensitet, totalt sett.
Koreanska Samsung hyser inga ambitioner att vara sämre och har under våren tillkännagivit att bolaget roffat åt sig bland annat 5G-modemtillverkning åt Qualcomm. Själva tillverkningsstarten på 5 nanometer är tänkt att ske till hösten, med bland annat kommande systemprocessorn Exynos 992 på schemat.
Samsungs planer efter 5 nanometer har dock varit relativt okända, men nu seglar rapporter upp hos taiwanesiska Digitimes (betalvägg) som antyder att det koreanska företaget helt och hållet hoppar över tillverkning på 4 nanometer till förmån av ett hopp direkt till 3 nanometer. Samsungs tillverkningsplaner placerar en övergång till tillverkning på 3 nanometer under år 2022, enligt EE Times.
TSMC å sin sida ser sin teknik på 4 nanometer, N4, som en förfinad variant av företagets N5P-process. Där TSMC tidigare talat om år 2022 som en startpunkt för 3 nanometer kommer N4 högst sannolikt existera sida vid sida med N3 under år 2023. Tidsplanen för 3 nanometer hos Samsung ser lovande ut, då Anandtech rapporterar om två generationer i tillverkning under år 2022.
Värt att notera i ämnet är att företagens tillverkningstekniker på olika nivåer inte är direkt jämförbara med varandra. Detta då tillverkningstekniken endast anger transistorgrindarnas längd, och beteckningar som 10 och 5 nanometer säger därför inget om teknikens egenskaper som energieffektivitet och transistordensitet. Att Intel ligger kvar på 10 nanometer innebär alltså inte att teknikens egenskaper är så långt efter konkurrenterna som siffrorna antyder.
Huruvida Samsungs tillverkningsplaner runt 3 nanometer håller och vilka kunder de lyckas locka till sig återstår att se.
