Skyhög prestanda och energieffektivitet stod på menyn när minnestekniken High-Bandwidth Memory (HBM) först lanserades. Låga volymer och höga kostnader har dock lett till begränsat genomslag på marknaden i stort. Istället har tekniken hittat en nisch inom högpresterande kretsar för bland annat datacenter.

Mot slutet av år 2019 gick Samsung ut med att en förfinad variant av uppföljaren HBM2 var på väg in i produktion. Nu lanserar standardiseringsorganet JEDEC officiellt en uppdatering av specifikationen HBM2, där det tidigare tillägget "E" på slutet strukits.

Nytt är att JEDEC officiellt lägger till ytterligare två hastigheter på 2,8 och 3,2 Gbps per pin (3 200 MHz effektiv klockfrekvens), upp från tidigare taket 2,4 Gbps. Det innebär att en ensam HBM2-kapsel kan leverera en bandbredd om 410 GB/s över en 1 024-bitars minnesbuss, vilket är en ökning med 33 procent från tidigare. Detta med en bibehållen spänning på 1,2 V och därmed liknande strömförbrukning.

I övrigt lämnas specifikationen för HBM2 orörd och varje kapsel kan fortsatt husera upp till 12 staplade kretsar om 2 GB (16 Gb) vardera. En ensam HBM2-kapsel kan därmed ha en kapacitet på upp till 24 GB. Det gör att exempelvis en grafikkrets med fyra HBM2-kapslar numera kan bestyckas med upp till 96 GB tillsammans med en bandbredd på hissnande 1,64 TB/s.

AMD-HBM-Fiji-8.jpg

AMD:s implementation av HBM med grafikkretsen Fiji i Radeon R9 Fury X.

Hastigheterna kan jämföras med AMD:s Radeon VII, som med fyra HBM2-kapslar levererar en kapacitet om 16 GB med 1 TB/s i bandbredd över en 4 096-bitars minnesbuss. Det kan även ställas mot Nvidias flaggskepp Geforce RTX 2080 Ti, vars 352-bitars minnesbuss med 11 GB GDDR6 i 14 Gbps (14 000 MHz) har en bandbredd om 616 GB/s.

Samtidigt som JEDEC uppdaterar HBM2-specifikationen går Samsung ut med att de är redo att leverera sin lösning kallad "Flashbolt". Här levereras upp till 16 GB i en kapsel med en bandbredd på 3,2 Gbps per pin eller 410 GB/s per kapsel. Den sydkoreanska elektronikjätten stannar dock inte där.

Samsung menar även att de kan pressa upp Flashbolt så högt som 4,2 Gbps per pin vid ett överklockat läge, vilket ger en bandbredd om hela 538 GB/s per kapsel eller strax över 2 TB/s med fyra stycken. Huruvida det här blir något som används i praktiken återstår att se, då sådana hastigheter även förutsätter att kretsarnas minneskontroller kan arbeta i sådana hastigheter. Samsung Flashbolt går in i produktion under årets första hälft.

När de första kretsarna med uppdaterade HBM2 letar sig ut och om det blir i några konsumentprodukter återstår att se.

Mer läsning om HBM2: