Tekniken High-Bandwidth Memory (HBM) lanserades år 2015 med löfte om skyhög prestanda och bättre energieffektivitet än vanligt GDDR-grafikminne. Trots detta har genomslaget varit begränsat, till följd av höga priser och inte minst att de första kretsarna inledningsvis hade låga kapaciteter.

Efterträdaren till HBM fick namnet HBM2, vilken är på väg att följas upp av vad som kallas High-Bandwidth Memory 2 Enhanced (HBM2E). För denna är den stora nyheten framförallt högre effektiv klockfrekvens för mer bandbredd, egenskaper som minnestillverkare även söker att kombinera med större kapaciteter.

Nu tillkännager Samsung sin variant av HBM2E, som tredubblar kapaciteten per kapsel jämfört mot bolagets HBM2-minne. Varje kapsel erbjuder således 24 GB, vilket möjliggör att ta fram grafikkort med så mycket som 96 GB minne. Detta upp från 8 GB per kapsel med HBM2.

Samsung-12-layer-3D-TSV_main2.jpg
Samsung-12-layer-3D-TSV_main1.jpg

Bedriften möjliggörs genom att att Samsung dubblerat kapaciteten per krets (16 Gb) jämfört mot HBM2 (8 Gb). Samtidigt staplas 12 stycken av dessa ovanpå varandra, upp från tidigare 8 stycken. Kretsarna kopplas samman genom fler än 60 000 hål, en teknik kallad Through-Silicon Via (TSV), som sedan fylls med metall för att skapa vertikala ledningsbanor för kommunikation.

Varje krets är samtidigt tunnare än tidigare, vilket resulterar i att Samsungs nya HBM2E behåller samma tjocklek på 720 mikrometer som bolagets HBM2. Det är viktigt då det möjliggör för Samsungs befintliga HBM2-kunder att enkelt gå över till HBM2E utan att behöva designa om sina nuvarande kretsdesigner.

Samsung går inte in på några detaljer gällande hastigheter för det nya minnet, men HBM2E-standarden tillåter upp till 1 200 MHz (2 400 MHz effektivt). Tillsammans med en minneskanal på 1 024 bitar ger det en bandbredd på 307 GB/s, medan fyra minneskapslar över 4 096 bitar ger dryga 1 228 GB/s.

Samsungs HBM2E på 24 GB går in i produktion inom kort. När och om minnet faktiskt letar sig ut i produkter är ännu inte känt.

Läs mer om High-Bandwidth Memory: