Under fjolårets lagringskonferens Flash Memory Summit berättade Toshiba om en kommande SSD-lagring vid namn XL-Flash. Denna bygger på minnestekniken SLC NAND, en typ av Flash-minne som endast lagrar en bit per minnescell. Fördelarna med detta innefattar låg latens och hög hållbarhet, med begränsad densitet för lagringen som nackdel.
SLC NAND är vanligt förekommande i datacenter och andra serverrelaterade tillämpningar som sätter tonvikten vid pålitlighet och prestanda, medan konsumentmarknaden fokuserar på minnestekniker som ger mycket lagring per krona, exempelvis MLC och TLC NAND.
► Läs mer om de olika typerna av NAND Flash här.
Tekniken Toshiba avtäcker i och med XL-Flash består av 3D-lagrade SLC-kretsar där de första kretsarna får 128 Gb (gigabit) lagringskapacitet. Kretsarna lagras i 16 nivåer vilket ska ge högre kapacitet för parallella läsningar och skrivningar jämfört med de kapacitetsfokuserade NAND-typerna.
Det stora paradnumret med XL-Flash är att latens vid läsningar från minnet ska vara mindre än 5 mikrosekunder. Detta kan jämföras med Toshibas snabbaste TLC-baserade NAND-minne som har latens på 50 mikrosekunder, och i produktpresentationen presenterar Toshiba XL-Flash som bryggan mellan SSD-lagring och DRAM. Jämförelsevis mäts latensnivåer för DDR4-minne i nanosekunder.
XL-Flash blir därmed en konkurrent till Samsungs Z-NAND, som också använder sig av 3D-staplat SLC-minne, och i viss utsträckning Intel 3D Xpoint. Till skillnad från Intel och Samsung kommer Toshiba sälja XL-Flash tillsammans med 3D TLC och QLC NAND till kunder, och enligt en rapport från Anandtech ska SSD-tillverkare uttryckt intresse för att använda tekniken i kommande SSD-minneskontroller.
Det gör det möjligt för SSD-tillverkare att använda XL-Flash även i konsumentorienterade produkter, men XL-Flash är primärt en serverfokuserad produkt. Toshiba meddelar att testproduktion av XL-Flash-kretsar inleds i september och massproduktion påbörjas nästa år.