De stora aktörerna på minnesmarknaden har länge slagits om att vara störst och hela tiden innovera med nya tekniker. Nyligen meddelade exempelvis Western Digital att de påbörjat produktionen av 3D NAND-minnen med så kallad QLC-teknik, vilket möjliggör mer lagringsutrymme på samma yta.
Tom's Hardware rapporterar att en annan stor tillverkare, SK Hynix, under konferensen Flash Memory Summit avtäcker vad de kallar för 4D NAND. Precis som 3D NAND består 4D NAND av staplade minneskretsar samt kringliggande kretsar, men istället för att placera de sistnämnda vid sidan om läggs de istället under.
Enligt SK Hynix innebär detta många fördelar, både när det kommer till högre lagringsdensitet och lägre kostnader. Tom's Hardware nämner dock att tekniken i stort sett är densamma som Intel och Micron använder sig av, men att de istället kallar det för CMOS under Array eller CuA.
Tekniken kommer till en början användas i minneskretsar med celler i 96 lager och en kapacitet om 512 Gb (64 GB). Dessa ska börja skickas ut till tillverkare mot slutet av 2018 och ska enligt SK Hynix själva innebära både högre läs- och skrivhastighet samt bättre energieffektivitet.
