Minnestekniken DDR4 släpptes i samband med Intel Haswell-EP för servrar och Haswell-E för konsumenter hösten 2014. Bland nyheterna märktes framförallt möjligheten till högre klockfrekvenser och lägre spänning jämfört mot DDR3, som sakteligen håller på att fasas ut till förmån för den senaste standarden.
Under årets Intel Developer Forum (IDF) framgår att arbetet med efterträdaren till DDR4 är i full gång och att specifikationen ska tillkännages mot slutet av 2016. Nästa generation kallas inte helt oväntat DDR5 och ska enligt Mike Howard, chef på analysfirman IHS, komma tillrätta med tillkortakommandena i DDR4.
Medan många detaljer ännu inte fastställts ska DDR5 erbjuda högre kapacitet än DDR4. Detta då DDR5 ska anpassas för tillverkning i 10-nanometersklassen, till skillnad från DDR4 som från början designades för äldre och mindre transistortäta 40- och 50-nanometerstekniker.
Därtill ska DDR5 erbjuda högre minnesbandbredd, där det talas om en dubblering i jämförelse med DDR4, samtidigt som strömförbrukningen ska gå ned. Standarden förutspås först entré för serverplattformar 2020, för att 12–18 månader senare även hitta ut i persondatorer för konsumenter.
DDR5-standarden väntas leva vidare till omkring 2025, varefter den kan komma att ersättas av helt nya tekniker som Phase-Change Memory (PCM), Resistive RAM (RRAM), Magnetoresistive RAM (MRAM) och Intels 3D Xpoint.
