Att ständigt förbättra tillverkningstekniken för kretsar som processorer och minnesmoduler handlar inte enbart om att få in fler transistorer på mindre yta, utan också om en hel del prestige. Intel har ofta legat i framkant på det fabrikstekniska planet, men på senare tid har kontraktstillverkare som TSMC och IBM gjort stora framsteg.
IBM rapporterar att de tillsammans med samarbetspartners som AMD och Toshiba lyckats tillverka en minnescell med 22 nanometers tillverkningsteknik. Dagens tillverkningstekniskt mest avancerade kretsar framställs med optisk litografi som klarar av 45 nanometer. Nästa generation är 32 nanometer och planeras finnas på marknaden någon gång i slutet av 2009 eller i början av 2010.
Det kommer därför att dröja ett tag innan de senaste framstegen inom området ger resultat i verkliga produkter. Intel planerar att gå över till 22 nanometer först år 2011. Vad IBM, AMD och Toshiba med samarbetspartners har för tidsschema är ännu inte känt.
Konkurrenten Intel tar dock IBM:s genombrott med ro. Processorjätten har redan tillverkat en hel krets med 32 nm-teknik, och anser därför inte att en minnescell med 22 nm är särskilt imponerande.
Indeed, this is the smallest SRAM cell that has been demonstrated [...] The announcement admits that they only have demonstrated a 22 nm SRAM 'cell' [...] A single SRAM cell has 6 transistors in it. Intel's 32 nm SRAM array, which we announced back in September, has 290 million cells [...] IBM has yet to report a large working 32 nm SRAM array as Intel did last September.
Med modernare tillverkningsteknik kan fler transistorer tryckas in på mindre yta, vilket leder till kraftfullare och billigare kretsar. Framsteg i material och tillverkning leder dessutom ofta till mer energisnåla produkter.
Källa: TGDaily.
