Inom kategorin flashlagring står Samsung med sin teknik 3D V-NAND i framkant. Tekniken såg dagens ljus 2013 och jagar högre minnesdensitet genom att stapla lager av minnesceller på höjden i en och samma krets. Den sjätte generationens V-NAND har 136 lager och bolaget är på god väg att sjösätta sjunde generationen, som utöver en ökning till 176 lager får nya kontrollerkretsar med stöd för PCI Express 5.0.
Sjunde generationens SSD-enheter från Samsung skulle därmed inte bara få högre lagringsdensitet, de blir betydligt snabbare. Nästa generations lagringsenheter över PCI Express 5.0 väntas klara läshastigheter om hela 14 GB/s. Samsung ämnar dock inte stanna där, framtidsvisionen är V-NAND-kretsar som staplar över 1 000 lager.
Samsung utforskar redan tekniker som string stacking, där staplade V-NAND-kretsar staplas på vandra för att möjliggöra omkring 300 lager. Även om en sådan teknik används skulle över det dubbla antalet lager kräva att minnescellerna blir både mindre och tunnare. Det innebär i sin tur att nya och hårdare krav ställs på vilka material som används.
Det är sannolikt inte heller varken ekonomiskt eller tillverkningstekniskt genomförbart att etsa tusentals lager i en och samma krets, särskilt inte om de ska tillverkas i större volymer. Exakt hur långt in i framtiden Samsungs vision av V-NAND med tusentals lager är framgår inte riktigt, men troligtvis är det många år kvar.
