Dagens datorer använder primärminnen med kretsar ur kategorin dynamiskt minne, där varje minnescell består av en kondensator och en transistor. För att lagra binära ettor och nollor laddas kondensatorn upp med en elektrisk laddning, eller laddas ur. Då en kondensator över tid läcker sin elektriska laddning måste det uppdateras (eng. refresh) i cykler. Kondensatorn klarar inte heller av att hålla den elektriska laddningen när minnet avläses.
Det är en av nackdelarna företaget Unisanti, lett av NAND-uppfinnaren Dr. Fujio Masuoka, tror sig kunna förbättra. I deras forskningsprojekt “Dynamic Flash Memory with Dual Gate Surrounding Gate Transistor (SGT)” presenteras en ny lösning för primärminne de kallar för Dynamic Flash Memory (DFM). Tekniken kan närmast liknas med hur NAND Flash lagrar information i block.
The memory industry has long-since accepted DRAM technology is nearing the end of its life, but its significant market means any replacement technologies must provide the right balance of performance, costs and future scalability. After significant internal research and testing, we are delighted to unveil DFM to the market as the leading long-term viable option to DRAM. – Dr Koji Sakui, Unisanti
Forskare på Unisanti menar att industrin sedan länge accepterat att DRAM-tekniken är förlegad, och att deras nya DFM-teknik är nästa steg i utvecklingen. Rent konkret ska de största fördelarna med DFM bli att minnen inte längre behöver skriva eller radera hela rader åt gången, högre energieffektivitet och möjlighet att packa minne i högre densitet.
DFM-tekniken innebär fortfarande ett läckage av elektrisk laddning, men i en mycket långsammare takt. DFM ska även ha så kallade "non-destructive reads" där den elektriska laddningen behålls vid avläsning. Det innebär att det kan gå längre tid innan en refresh är nödvändig. De längre intervallen ska möjliggöra högre bandbredd för att läsa och skriva till minnet och dess blockbaserade teknik ska erbjuda snabbare åtkomst jämfört med DRAM.
Just nu är tekniken endast teoretisk, men Unisantis menar att de i simuleringar kunnat uppnå fyra gånger högre densitet jämfört med DRAM, och betydliga förbättringar sett till antal Gbit per kvadratmillimeter. De påstår att dagens begränsning på 16 Gbit per krets för DRAM skulle kunna öka till 64 Gbit med deras teknik och letar aktivt efter samarbetspartners för att utveckla en fysisk prototyp.
Källa: Blocks and Files
