Samsung gör QLC V-NAND för SSD-enheter på upp till 128 TB

I samband med Flash Memory Summit omfamnar Samsung QLC och lagrar fyra bitar data per cell, något som öppnar upp för rekordstora SSD-enheter.

Tidigare under sommaren blev Toshiba först ut med nästa stora utveckling inom traditionella NAND-flashkretsar. Det handlade då om en övergång till QLC NAND, där varje cell kan lagra fyra bitar data istället för tre med TLC, två med MLC och en med SLC.

Samsung-QLC-V-NAND-1.jpg

Under Flash Memory Summit hoppar Samsung på tåget med sin motsvarande lösning, kallad QLC V-NAND eller femte generationens V-NAND från Samsung. Nytt här är att det kombinerar konceptet Quadruple-Level Cell (QLC) med att de ökar antalet lager minnesceller från tidigare 64 till 96 stycken.

Samsung-QLC-V-NAND-2.jpg
Samsung-QLC-V-NAND-3.jpg

Tillsammans ger båda egenskaper världens högsta kapacitet på en minneskrets – 1 Tbit eller motsvarande 128 GB, likt Toshibas lösning. Vidare kan 32 av dessa staplas på varandra för att skapa en kapsel med en total kapacitet på 4 TB. Det här gör det möjligt att ta fram SSD-enheter med skyhöga kapaciteter, där Samsung planerar en SAS SSD-enhet på massiva 128 TB.

När Samsungs nya QLC V-NAND släpps i färdiga produkter för konsumenter och företag framgår inte, men det är troligt att det blir någon gång innan slutet av året då Samsung arbetar på en ny generation SSD-enheter för konsumenter.

Källa: PC Perspective