Samsung ökar produktionen av 3D V-NAND med minnesceller i 64 lager

Tillverkaren Samsung ökar nu produktionen av sina 3D V-NAND-minnen med minnesceller i 64 lager, vilka bland annat erbjuder högre energieffektivitet och längre hållbarhet.

I takt med att tekniken kring lagring utvecklats har transistorer och kretsar blivit allt mindre. Dessa har dock börjat nå en punkt där ytterligare krympning inte är möjligt och därför satsar istället tillverkarna på tekniker såsom V-NAND, där minnesceller kan staplas på höjden.

En av dessa är Samsung, som tidigare under året börjat producera 3D V-NAND-minnen med minnesceller i 64 lager. Produktionen har än så länge varit väldigt begränsad, men företaget meddelar nu att de ökar denna och förutspår att de kommer utgöra hälften av minnestillverkningen vid årets slut.

Enligt bolaget kan de nya minnena uppnå en hastighet på 1 Gbit/s, vilket gör dem till de snabbaste på marknaden idag. I övrigt är de också mer effektiva, med lägre spänningskrav och högre hållbarhet.

Samsung förutspår att bättre prestanda och hållbarhet blir det som tillverkare kommer satsa på framöver, istället för att försöka få ner storleken på minneskretsarna. De menar också att de har den grundläggande tekniken färdig för att i framtiden tillverka flashbaserade minnen med en kapacitet på 1 TB och minnesceller i 90 lager.