Intel presenterar Optane P4800X med 3D Xpoint-minne

Intel presenterar Optane P4800X med 3D Xpoint-minne

Optane P4800X blir Intels första produkt baserad på minnestekniken 3D-Xpoint, vars egenskaper gör den lämpad för både lagringsminne och primärminne.

Läs hela artikeln här

Om den klarar väldigt många fler skrivningar än NAND utan att nötas ned (dvs har en väldigt hög TBW) så finns det en poäng, annars har jag svårt att se någon, eftersom den är prestandamässigt likvärdig en M.2-ssd (och det går ju använda en vanlig ssd som arbetsminne också, t.ex. med en swapfil).

Ju närmre Optane kommer release, desto sämre ser den ut.

Hänger inte med helt här. Man menar alltså från Intels håll att P4800X är allt från 3 till 35 gånger snabbare än P3700 (på vissa, möjligen noggrant utvalda, punkter). Men brödtexten speglar inte alls dessa fantasisiffror när man jämför med NAND-SSD:er:

Skrivet av SweClockers:

Det som särskiljer Optane-kortet är konsekventa förflyttningar per sekund (IOPS) med betydligt lägre latens. Där NAND-enheter typiskt toppar runt 500 000 IOPS för läsningar och 350 000 IOPS för skrivningar kan Optane P4800X upprätthålla 550 000 för läsningar och 500 000 för skrivningar.

10 % högre IOPS för läsningar och drygt 40 % högre för skrivningar jämfört med NAND verkar vara "grejen" med P4800X enligt artikeln (plus att den kan användas som RAM förstås). Ingenting i närheten av 200 – än mindre 3400 – procent snabbare, som bilden antyder.

Är P3700 extremt långsam, berättar artikeln inte hela historien, är bilden missvisande eller vad är det som pågår?

@Alling det kan vara gammal marknadsföring som hänger kvar. Intel har i omgångar fått minska sina marknadsföringssiffror. Fortsätter de att skriva ner prestandan är den väl långsammare än nand när den väl kommer ut.

Om vi börjar se det här användas som ett slags billigt men långsammare DRAM får man ju sköna fastMEM vs chipMEM flashbacks till Amigan

Skrivet av sniglom:

Ju närmre Optane kommer release, desto sämre ser den ut.

Mja, ganska långt ifrån de siffror som ursprungligen utlovades. Men dom kanske syftade på någon annan framtida iteration av teknologin.

upp till 77x bättre quality of service? så de hade 1,3% innan? (som minst) Det är ju...intressant

@Alling: Prestandauppgifterna hämtar vi från Intels pressrelease som anger följande: "the DC P4800X can reach as much as 500,000 IOPS, or ~2GB/s, at a que depth of 11". Om enheten faktiskt har bättre kapacitet än så, vid större ködjup exempelvis, vore det konstigt av Intel att inte lyfta fram det i pressreleasen, men visst är det fullt möjligt. Det verkar dock som att Optane DC P4800X är anpassad för datacenter och servrar där pålitlig prestanda med låg latens är viktigare än rena överföringshastigheter, 3D Xpoint har säkert betydligt större potential om maximal QoS inte är primärt fokus.

Länk: http://www.intel.com/content/www/us/en/solid-state-drives/opt...

Hmm , deras tidigare siffror avsåg ju M.2 enheten,, som nu inte alls verkar komma eller?
Jag skulle vilja veta hur det blir med det, då senaste gen CPU har stöd.
Läste på Arstechnica att dom även planerar DIMM varianter in framtiden. så man undrar ju om M.2 verren har blivit inställd.

Teknologin är helt ny så det tar väl lite tid att pressa upp prestandan och förfina controllers som hanterar minnestypen, blir väl som annat dyrt i början för att betala av utvecklingskostnaderna men sen billigare när tillverkningstekniken mognar. Minnes noderna kan dock packas betydligt mer och dessa saknar även transistorer vilket borde ge billigare kretsar med tiden efter man "mjölkat" av datacenters som betala för sej.

Ovanligt att Intel valde svart PCB på visningsmodellen som vanligtvis målar allt grönt.

Skrivet av sniglom:

Ju närmre Optane kommer release, desto sämre ser den ut.

Kunde inte sagt det bättre själv alltså. Det verkade asballt i början men det blir bara sämre och sämre.

Skrivet av Alling:

http://cdn.sweclockers.com/artikel/bild/50454?l=eyJyZXNvdXJjZSI6IlwvYXJ0aWtlbFwvYmlsZFwvNTA0NTQiLCJmaWx0ZXJzIjpbIndtIiwidD1vcmlnaW5hbCJdLCJwYXJhbXMiOltdLCJrZXkiOiI4ZDM4MTdmNWU1ZmVkOWVhMjc0YWY1NWIzNzRkYjQzMiJ9

Hänger inte med helt här. Man menar alltså från Intels håll att P4800X är allt från 3 till 35 gånger snabbare än P3700 (på vissa, möjligen noggrant utvalda, punkter). Men brödtexten speglar inte alls dessa fantasisiffror när man jämför med NAND-SSD:er:

10 % högre IOPS för läsningar och drygt 40 % högre för skrivningar jämfört med NAND verkar vara "grejen" med P4800X enligt artikeln (plus att den kan användas som RAM förstås). Ingenting i närheten av 200 – än mindre 3400 – procent snabbare, som bilden antyder.

Är P3700 extremt långsam, berättar artikeln inte hela historien, är bilden missvisande eller vad är det som pågår?

De flesta NAND-enheter klarar väl bara att köra sina max IOPS under några minuter, sedan sjunker de till 10000-30000 IOPS medans P4800X ska klara 500k IOPS kontinuerligt.

När skulle man kunna använda den till ram minne?

Skrivet av Alling:

http://cdn.sweclockers.com/artikel/bild/50454?l=eyJyZXNvdXJjZSI6IlwvYXJ0aWtlbFwvYmlsZFwvNTA0NTQiLCJmaWx0ZXJzIjpbIndtIiwidD1vcmlnaW5hbCJdLCJwYXJhbXMiOltdLCJrZXkiOiI4ZDM4MTdmNWU1ZmVkOWVhMjc0YWY1NWIzNzRkYjQzMiJ9

Hänger inte med helt här. Man menar alltså från Intels håll att P4800X är allt från 3 till 35 gånger snabbare än P3700 (på vissa, möjligen noggrant utvalda, punkter). Men brödtexten speglar inte alls dessa fantasisiffror när man jämför med NAND-SSD:er:

10 % högre IOPS för läsningar och drygt 40 % högre för skrivningar jämfört med NAND verkar vara "grejen" med P4800X enligt artikeln (plus att den kan användas som RAM förstås). Ingenting i närheten av 200 – än mindre 3400 – procent snabbare, som bilden antyder.

Är P3700 extremt långsam, berättar artikeln inte hela historien, är bilden missvisande eller vad är det som pågår?

Nu är det ju lite skillnad mellan peak-prestanda och prestanda som kan upprätthållas konstant.

Var det inte 1000 ggr snabbare det sades från början? Vilken flopp!
Med denna borträknad så finns det väl längre ingen anledning att välja ett z270 moderkort framför ett z170.

Skrivet av loevet:

@Alling: Prestandauppgifterna hämtar vi från Intels pressrelease som anger följande: "the DC P4800X can reach as much as 500,000 IOPS, or ~2GB/s, at a que depth of 11". Om enheten faktiskt har bättre kapacitet än så, vid större ködjup exempelvis, vore det konstigt av Intel att inte lyfta fram det i pressreleasen, men visst är det fullt möjligt. Det verkar dock som att Optane DC P4800X är anpassad för datacenter och servrar där pålitlig prestanda med låg latens är viktigare än rena överföringshastigheter, 3D Xpoint har säkert betydligt större potential om maximal QoS inte är primärt fokus.

Länk: http://www.intel.com/content/www/us/en/solid-state-drives/opt...

Är det inte tvärt om här? D.v.s. "finessen" med 3D Xpoint är bl.a. att latensen för läsning/skrivning är lång längre än för NAND så man når sin peak-kapacitet vid ett relativt lågt kö-djup.

Jämför med Samsungs 960 Pro, den når sin peak IOPS först vid ett kö-djup på runt 64

Är i alla fall så jag tolkar denna bild, d.v.s. det man pushar är just hur mycket högre IOPs 3D Xpoint disken har vid ködjup <=16

Största "problemet" för 3D Xpoint idag lär vara att även NAND-baserade diskar har nåt en så pass låg latens att latens mot NAND och latens mot PCIe börjar ligga i samma härad. För att 3D Xpoint ska kunna utnyttja sina två största fördelar mot NAND, d.v.s. väsentligt lägre latens och minne som kan addresseras på byte-nivå, måste man börja använda tekniken som RAM-minne i stället för som NVMe disk.

NAND är bara adresserbart i relativt stora block så inte lämpligt som RAM och latens på NAND är allt för stort för att vara vettigt som RAM.

Som disk måste användningsområdet för 3D Xpoint bli rätt nischat. TechReport verkar ha men ett use-case (som jag gissar kommer från Intels presentationsmaterial) där dessa diskar kan användas i lägen där man har väldigt många transaktioner per tidsenhet men kanske inte jättehög "concurrency" (så lågt ködjup).

Skrivet av s0sdaf:

Mja, ganska långt ifrån de siffror som ursprungligen utlovades. Men dom kanske syftade på någon annan framtida iteration av teknologin.

http://images.anandtech.com/doci/9470/asd12.PNG

Haha. Snacka om överdrift.

Skrivet av oceanic:

Teknologin är helt ny så det tar väl lite tid att pressa upp prestandan och förfina controllers som hanterar minnestypen, blir väl som annat dyrt i början för att betala av utvecklingskostnaderna men sen billigare när tillverkningstekniken mognar. Minnes noderna kan dock packas betydligt mer och dessa saknar även transistorer vilket borde ge billigare kretsar med tiden efter man "mjölkat" av datacenters som betala för sej.

Ovanligt att Intel valde svart PCB på visningsmodellen som vanligtvis målar allt grönt.

Då ska man vara försiktig med att lova för mycket.

Skrivet av houze:

De flesta NAND-enheter klarar väl bara att köra sina max IOPS under några minuter, sedan sjunker de till 10000-30000 IOPS medans P4800X ska klara 500k IOPS kontinuerligt.

Fortfarande. Intel utgår från max på sina enheter kontra max IOPS från NAND (tolkar jag det som iallafall) så deras siffror är fortfarande långt ifrån korrekta.

Skrivet av Alling:

http://cdn.sweclockers.com/artikel/bild/50454?l=eyJyZXNvdXJjZSI6IlwvYXJ0aWtlbFwvYmlsZFwvNTA0NTQiLCJmaWx0ZXJzIjpbIndtIiwidD1vcmlnaW5hbCJdLCJwYXJhbXMiOltdLCJrZXkiOiI4ZDM4MTdmNWU1ZmVkOWVhMjc0YWY1NWIzNzRkYjQzMiJ9

Hänger inte med helt här. Man menar alltså från Intels håll att P4800X är allt från 3 till 35 gånger snabbare än P3700 (på vissa, möjligen noggrant utvalda, punkter). Men brödtexten speglar inte alls dessa fantasisiffror när man jämför med NAND-SSD:er:

10 % högre IOPS för läsningar och drygt 40 % högre för skrivningar jämfört med NAND verkar vara "grejen" med P4800X enligt artikeln (plus att den kan användas som RAM förstås). Ingenting i närheten av 200 – än mindre 3400 – procent snabbare, som bilden antyder.

Är P3700 extremt långsam, berättar artikeln inte hela historien, är bilden missvisande eller vad är det som pågår?

P3700 är extremt långsam på en hel del saker. Dens fördel är "konstant prestanda", mao under extrem last så håller den bra nivå, men då pratar vi inga 500k IOPs, utan kanske 20k i skriv.

Brödtexten som Sweclockers jämfört med är en Samsung 960, som klarar de IOPs i läsning. Intel kan inte (och troligen vill inte) jämföra mot en konsument disk från en annan tillverkare dock.

Vad som borde varit mer rimligt är en jämförelse mot Intels 750, men det blev väl inte så fina siffror då så... de tog något äldre. Dens styrka är dock i låg kö-IOPs, något som äldre kontrollers och NAND har svårare med (även om de är rätt låga idag).

Skrivet av houze:

De flesta NAND-enheter klarar väl bara att köra sina max IOPS under några minuter, sedan sjunker de till 10000-30000 IOPS medans P4800X ska klara 500k IOPS kontinuerligt.

Du tänker på den sabla M.2 kontakten som har typ ingen kylning och hör hemma i en laptop... Servrar har inte M.2... de kör U.2 eller PCI-E kort, och har både fläktar, kylning och allt på hög nivå.

Det är dock intressant om de kan hålla det i skrivning kontinuerligt, vilket är enormt svårt med NAND pga det måste flyttas och raderas, innan det kan skrivas igen.

Senast redigerat 2017-03-21 09:07

De man väntar på är ju.
KLICK...... vänta på att monitorn ska vakna, så man kan se OSet.
Asso INTE vänta på att ladda det.
(du vet som på c64:an för XX år sen).

Skrivet av Paddanx:

Du tänker på den sabla M.2 kontakten som har typ ingen kylning och hör hemma i en laptop... Servrar har inte M.2... de kör U.2 eller PCI-E kort, och har både fläktar, kylning och allt på hög nivå.

Det är dock intressant om de kan hålla det i skrivning kontinuerligt, vilket är enormt svårt med NAND pga det måste flyttas och raderas, innan det kan skrivas igen. Eftersom det dock inte fick den skrivtåligheten som man "hoppats", så vete F hur lämpad den är att ha 500k IOPs dock.

Nej, jag tänkte på PCI-E,SAS-2/3,U.2 baserade enheter som t.ex. P3700 och liknande, de flesta av dem klarar av 100-300k write IOPS i någon minut innan de sjunker ner och stabiliseras runt 20-30k (jag antar det har att göra med hur mycket yta som används som SLC samt hur GC och andra saker fungerar i SSD).

Ja, skrivtåligheten känns sämre än man hoppats på, men det kanske bara är Intel som är försiktiga eftersom det är första generationen.

Ska bli spännande att se vilka implementationer som kommer göras på Optane, som det ser ut just nu så är det mest cache-devices i storage-system.
Jag har lite svårt att se nyttan med Memory Drive Technology, enheterna är för små (375GB vs 1,5TB RAM i en normal 2-socket server) för att de ska ha någon större nytta i dagsläget, men med enheter på 2-3TB hade det varit intressant för t.ex. inmemory-databaser.

Skrivet av houze:

Nej, jag tänkte på PCI-E,SAS-2/3,U.2 baserade enheter som t.ex. P3700 och liknande, de flesta av dem klarar av 100-300k write IOPS i någon minut innan de sjunker ner och stabiliseras runt 20-30k (jag antar det har att göra med hur mycket yta som används som SLC samt hur GC och andra saker fungerar i SSD).

Ahh du tänker på när den blir "full". Jo, det är helt klart NANDs svaghet och detta är väl en av de få fördelarna med X-point och liknande teknik. Men detta är endast pga SLC teknik... Senast jag kollade så kör de SLC liknade teknik i detta och går du tillbaka till NANDs SLC dagar så var de helt annorlunda byggda.

Du kunde fortfarande bara radera block, men du hade mindre blocks och kunde skriva en cell med 1-bit åt gången. TRIM behövdes inte på samma sätt och det var enkelt att sköta. Och om man tittar på storleken som erbjuds... 375GB, 700GB, och kanske 1,4TB, så är det ju enormt lägre än SSDer upp till 10TB+ med MLC teknik. Faktum är att samma NAND disk i SLC läge är ju 5TB+... Så när Intel ska göra nästa med 700GB, 1,4TB och 2,8TB i MLC läge... hur kommer det påverka prestandan?

Största fördelen de har nu, är att de inte satsat på storlek, utan de tvingas köra SLC läge för att få den prestandan. Vilket också är något man får ta i aspekt. Du jämför ett eMLC NAND (som skriver långsammare för att bibehålla skrivtåligheten), med SLC X-Point.

Skrivet av houze:

Ja, skrivtåligheten känns sämre än man hoppats på, men det kanske bara är Intel som är försiktiga eftersom det är första generationen.

De var inte försiktiga i sin Hype iaf... och ett problem du måste tänka på är om du tittar på SLC NAND Endurance, så pratar vi också typ 50-100k P/E på tidig gen. 20nm är mogen teknik, så Xpoint har verkligen alla fördelar.

En oro dock är... hur löser du wear-levelning? Om du skriver 10TB data till bara 10% av enheten... eftersom inte cellerna roteras runt som i NAND... så lär 90% av enheten vara frisk, men de 10% vara rejält slitna (jämfört). Detta problem finns ju inte i RAM, så ingen mjukvara finns för att ta det i aspekt heller.

Skrivet av houze:

Ska bli spännande att se vilka implementationer som kommer göras på Optane, som det ser ut just nu så är det mest cache-devices i storage-system.
Jag har lite svårt att se nyttan med Memory Drive Technology, enheterna är för små (375GB vs 1,5TB RAM i en normal 2-socket server) för att de ska ha någon större nytta i dagsläget, men med enheter på 2-3TB hade det varit intressant för t.ex. inmemory-databaser.

Vi får väl se.
Risken är att det krävs 256-bit version eller MLC för att nå den densiteten som du önskar, och då riskerar andra nackdelar att komma fram :=/

Jag hade hoppats på högre prestanda. Tekniken marknadsfördes som betydligt snabbare än NAND men det verkar som om NAND hunnit ikapp sedan dess och den största flaskhalsen för NAND verkar vara gränssnittet.

Men tekniken är fortfarande ny så man kan ju hoppas på mer.

EDIT:

Såg nyss denna nyheten: http://www.sweclockers.com/nyhet/23540-samsung-presenterar-z-...

Citat:

Sett till läs- och skrivhastigheter uppges enheten leverera 3,2 GB/s båda vägarna. Som jämförelse kan 960 Pro-familjen nå 3,5 GB/s i läshastigheter, men lägre 2,1 GB/s i skrivhastigheter. Sett till slumpartade läsningar anger Samsung att den nya enhet ska nå ett resultat om 750 000 IOPS och 160 000 IOPS för skrivningar. Som jämförelse kan 960 Pro nå cirka 500 000 respektive 350 000 IOPS.

Senast redigerat 2017-03-21 13:38