I slutet av 2011 blev de första kretsarna på 28 nanometer från TSMC tillgängliga, men det många inte visste var att livslängden för tillverkningsteknikens skulle bli rekordlång. Efterföljaren 20 nanometer gav inte tillräckliga fördelar, varför det dröjde till våren 2016 högpresterande kretsar som grafikprocessorer kunde ta klivet över till 16 och 14 nanometer.

Nu pekar allt mer mot att 28 nanometer blir ett undantag, då TSMC, Samsung och Globalfoundries arbetar för fullt på nästa generationer. I ett pressmeddelande bekräftar Globalfoundries uppgifterna om att de hoppar över 10 nanometer, och tar klivet från 14 nanometer direkt till 7 nanometer.

Enligt Globalfoundries ska 7-nanometerstekniken med FinFET-transistorer mer än dubblera transistordensiteten jämförd mot 16 och 14 nanometer. Detta möjliggör exempelvis en halverad kretsyta med samma antal transistorer som tidigare, eller en dubblering på samma yta. Samtidigt ska prestandan (klockfrekvens) öka med åtminstone 30 procent.

Tekniken bygger på den grund som lades av IBM, vars fabriker Globalfoundries förvärvade 2015. Bland annat ska kretsar med tekniken tillverkas med hjälp av Extreme Ultraviolet Lithography (EUV) med en våglängd på 13,5 nanometer istället för dagens 193 nanometer som erbjuds av argonflouridlaser. Det möjliggör för färre litografiska steg, vilket drar ned tillverkningskostnaderna.

Globalfoundries 7-nanometersteknik ska användas för alltifrån högpresterande kretsar till servrar, nätverkslösningar och mobila systemkretsar. Under andra halvan av 2017 ska tekniken vara färdigställd, varpå klienter kan börja designa kretsar för den och inledande riskproduktion beräknas till början av 2018.