Sedan introduktionen av ATI Radeon HD 4870 sommaren 2008 har minnestekniken GDDR5 dominerat grafikkort i prestandasegmentet, för att numera vara mer eller mindre standard oavsett prisklass. Med introduktionen av Radeon R9 Fury X gjorde High-Bandwidth Memory (HBM) entré och lyfte bandbredden till nya höjder.
Trots att tekniken har fördelar som potential till högre minnesbandbredd och lägre strömförbrukning begränsar höga kostnader genomslaget. Det här vill SK Hynix och Samsung ändra på med en prispressad variant, som inte är fullt lika kapabel som HBM2 men är avsevärt snabbare än ursprungliga HBM.
Den kostnadseffektiva versionen ska kunna leverera runt 200 GB/s i bandbredd per kapsel, vilket kan jämföras mot 128 GB/s för HBM och 256 GB/s för HBM2. För att pressa kostnaden ska kislet använda färre through-silicon via (TSV), kapslarna ska placeras på ett enklare "mellanlager" (eng. interposer) och vara utan den krets som sköter kommunikation med de staplade minneskretsarna. Därtill försvinner stöd för felrättande kod (ECC).
Längre fram i tiden planeras även nästa generation HBM – HBM3. Tekniken tros dock inte vara färdig förrän 2019–2020 och många detaljer är därmed inte huggna i sten. SK Hynix och Samsung siktar dock på att dubblera såväl kapacitet som bandbredden, vilket skulle möjliggöra för HBM3-baserade grafikkort att levereras med 64 GB grafikminne och en bandbredd om 2 TB/s.
Källa: PC Watch.
