När AMD lanserade flaggskeppen Radeon R9 Fury och Fury X var det första gången så kallat HBM-minne användes i skarp produktion. HBM är en förkortning av High Bandwidth Memory, men hög bandbredd är bara en av fördelarna med minnestekniken.
Eftersom minneskretsarna staplas på höjden minskas den yta de tar upp och energikonsumtionen blir också lägre. Första generationens minne var begränsat till totalt 4 GB, fördelade över fyra kapslar om 1 GB styck. Bandbredden för 4 GB HBM-minne med AMD:s grafikkrets Fiji är 512 GB/s, med 128 GB/s per kapsel.
Med HBM2 ökar den tekniska kapaciteten till 8 GB per minnespaket, vilket beskrivs närmare i JEDEC-specifikationen för typen. Nu meddelar Samsung att företaget inleder massproduktion av 4 GB stora HBM2-kapslar, vilka tillverkas med företagets process vid 20 nanometer.
Bandbredden för minnena är 256 GB/s per kapsel och en total bandbredd på 1024 GB/s med fyra stycken, alltså dubbelt upp jämfört med första generationens HBM. Som jämförelse erbjuder en 4 GB stor GDDR5-modul bandbredd på 32 GB/s.
Samsung meddelar även planer på att lansera HBM2-minneskapslar med 8 GB minneskapacitet under 2016. Företaget påstår att 8 GB HBM2-minne sparar in hela 95 procent av ytan som skulle krävas av 8 GB GDDR5. Någon tillgänglighet för dessa minnesmoduler anges inte, men produktionen ska skalas upp under året.
